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第 四 节 离子晶体的点缺陷及导电性 本节主要内容： 7.4.1 离子晶体的点缺陷 7.4.2 离子晶体的导电性 § 7.4 离子晶体的点缺陷及导电性 7.4.1 离子晶体的点缺陷 本节我们讨论热缺陷在 外力作用下的运动。对于离 子晶体而言，离子导电性就 是由于热缺陷在外电场作用 下的运动引起的。 在此，我们只讨论典型的 A + B - 离子晶体，如图所示。 正 空 格 点 离子晶体中的缺陷 正填隙离子 负空格点 + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 负填隙离子 晶体中有四种缺陷， A + 填隙离子， A + 空位， B - 填隙 离子和 B - 空位。由于整个晶 体是保持电中性的，因此， 对于其中的肖特基缺陷，正 负离子空位的数目是相同的； 对弗仑克尔缺陷则含有 相同数目的正、负离子空位 和正、负填隙离子。 正 空 格 点 离子晶体中的缺陷 正填隙离子 负空格点 + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - 负填隙离子 7.4.2 离子晶体的导电性 ? ? ? ? ? ? ? ? ? a (a) E 2 (b) (a) 填隙离子沿虚线运动； (b) 无外场； (c) 有外电场 ε 。 在没有外电场时，这些缺陷 作无规则的布朗运动，不产生宏 观的电流。 当有外电场存在时，这些缺陷除作布朗运动外，还有一个 定向的漂移运动，从而产生宏观电流。正负电荷漂移的方向是 相反的但是由于电荷异号，正负电荷形成的电流都是同方向的。 (c) 假设 分别代表 i 种热缺陷的浓度和漂移速度，则四 种缺陷总的电流密度为： i i v n ? ， ? ? ? 4 1 i i i i v q n j ? ? 假定各热缺陷的运动是独立的，我们先考虑一个 A + 填隙离 子在外电场作用下的运动情况。 当没有外力存在时，填隙离子沿图（ a ）中虚线运动，它 在各个位置上的势能是对称的，填隙离子越过势垒向左或向右 运动的概率是一样的。 T k / E P B 2 e 02 ? ? ? 即运动是布朗运动。 T k / ) / a q E ( P B 2 2 02 e ? ? ? ? ? 左 T k / ) / a q E ( P B 2 2 02 e ? ? ? ? ? 右 填隙离子向左、右两边跳跃的概率分别为： 当沿 x 方向加电场 ε 时，一个正的填隙离子将在原来的离子 势能上叠加电势能 ，势能曲线变成图 (C) 所示的情况， 这时势能不再是对称的。 x q ? ? 填隙离子左端的势垒增高了 ， 2 a q ? 填隙离子右端的势垒却降低了 ， 2 a q ? 每秒向左或向右跳动的概率，实际上也可以认为是每秒向 左或向右跳动的步数，因此每秒向右的净步数为： 左 右 净 P P P ? ? 于是向右漂移的速度为 一般情况下，电场不很强， T k a q B 2 ?? ? 上式可化为 ?? ? ? ? ? ? T k / E d T k a q v B 2 e B 02 2 [ ] T k / ) / a q E ( T k / ) / a q E ( B 2 B 2 2 2 02 e e ? ? ? ? ? ? ? ? ? [ ] T k a E T k a q E d a v B 2 B 2 / ) 2 / q ( / ) 2 / ( 02 e e ? ? ? ? ? ? ? ? ? 式中 ? 称为离子迁移率，它与扩散系数 D 的关系为 D T k q B ? ? 上式实际上是一个普通的关系式，不仅限于离子晶体的导 电性，这个关系称为爱因斯坦关系。 填隙离子的定向漂移产生的电流密度则表示为 T k / E a T k q n B 2 e 02 2 B 2 ? ? ? ? 电导率 ? 密切依赖于温度，上式中除了指数因子中的温度 T 外，还应注意填隙离子数 n 也随温度有类似的指数变化关系。 ?? ?? ? ? ? q n v q n j d d