3载流子扩散杂质浓分布与.pptVIP

半导体物理学 第 5 章载流子的输运现象 § 5.2 载流子扩散 ? 扩散定律 当载流子在空间存在 不均匀 分布时，载流子将由高浓度区 向低浓度区 扩散 。 扩散是通过载流子的 热运动 实现的。由于热运动，不同区 域之间不断进行着载流子的交换，若载流子的分布不均匀， 这种交换就会使得分布均匀化，引起载流子在宏观上的运 动。因此扩散流的大小与载流子的 不均匀性 相关，而与数 量无直接关系。 半导体物理学 第 5 章载流子的输运现象 ? 无规则的热运动导致粒子向 各个方向 运动的几率都 相同 。 ? 平衡态：各处浓度相等，由于热运动导致的各区域内粒子 交换 的数量相同，表现为宏观区域内粒子数不变，即统一 的粒子浓度。 ? 不均匀时：高浓度区域粒子向低浓度区域运动的平均粒子 数超过相反的过程，因而表现为粒子的净流动，从而导致 定向扩散 。 ? 扩散与浓度的不均匀有关，并且只与 不均匀 有关，而与总 浓度无关。 例： 类比：势能：只与相对值有关，而与绝对值无关。水坝 势能只与落差有关，而与海拔无关。 10:8 20:18 100:98 10000:9998 ? ? ? 半导体物理学 第 5 章载流子的输运现象 ? 粒子的扩散 ? 空间分布不均匀（浓度梯度） ? 无规则的热运动 ? 若粒子带电，则定向的扩散形成定向的电流： 扩散电流 光照 半导体物理学 第 5 章载流子的输运现象 ? 扩散粒子流密度： F 一维模型：粒子只能在一维方向上运动。 在某一截面两侧粒子的平均自由程 l （ l=v th г ）范围内，由于热运动而穿过 截面的粒子数为该区域粒子数的 1/2 。 扩散流密度： 单位时间 通过扩散的方式 流过垂直的 单位截面积 的粒子数 ? ? ? ? ? ? ? ? 1 1 1 2 2 2 th th th F n l v n l v v n l n l ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? x x+l x-l ? ? th dn x F lv dx ? ? 2 l ? ? dn x dx ? ? 半导体物理学 第 5 章载流子的输运现象 ? 扩散电流密度： ? 对于带电粒子来说，粒子的扩散运动形成扩散电流。 ? ? ? ? n n th n dn x J eF elv dx dn x eD dx ? ? ? ? ? ? ? ? p p th p dp x J eF elv dx dp x eD dx ? ? ? ? ? n ( +l ) n ( -l ) n ( 0 ) 浓度 电子流 电子电流 x ( -l ) x (+ l ) x n ( +l ) n ( -l ) n ( 0 ) 浓度 空穴流 空穴电流 x ( -l ) x (+ l ) x 扩散 系数 半导体物理学 第 5 章载流子的输运现象 例 5.4 已知浓度梯度，求扩散电流密度 在一块 n 型 GaAs 半导体中， T=300K 时，电子浓度在 0.10cm 距离内电子浓度从 3 18 10 1 ? ? cm 3 17 10 7 ? ? cm 到 线性变化。若电子的扩散系数为 s cm D n / 225 2 ? 求扩散电流密度。 解：扩散电流密度表达式： x n eDn dx dn eD J n dif n ? ? ? ? / 2 17 18 19 / / 108 10 . 0 10 7 10 1 225 10 6 . 1 cm A J dif n ? ? ? ? ? ? ? ? ? 适当的浓度梯度产生显著的扩散电流 半导体物理学 第 5 章载流子的输运现象 5.2.2 总电流密度 ? 半导体中四种独立的电流：电子的漂移及扩散电流； 空穴的漂移及扩散电流。 ? 总电流密度为四者之和： n x p x n p dn dp J en E ep E eD eD dx dx ? ? ? ? ? ? 漂移电流：相同 的电场下，电子 电流与空穴电流 的方向相同。 扩散电流：相同的 浓度梯度下，电子 电流与空穴电流的 方向相反。 在半导体中，电子和空穴的扩散系数分别与其迁移率有关 半导体物理学 第 5 章载流子的输运现象 § 5.3 杂质浓度分布与爱因斯坦关系 前边讨论的都是均匀掺杂的半导体材料，在实际的半导体 器件中，经常有 非均匀掺杂 的区域。 热平衡状态下：非均匀掺杂将导致在空间的各个位置杂质 浓度不同，从而载流子浓度不同。形成的载流子浓度梯度 将产生扩散电流。并且由于局域的 剩余电荷 （杂质离子） 存在而产生 内建电场 。 内建电场形成的漂移电流与扩散电流方向 相反 ，当达到 动 态平衡 时，两个电流相等，不表现出宏观电流，从而造成 了迁移率和扩散系数之间的关联： 爱因斯坦关系 。 半导体物理学 第 5 章载流子的输运现象 ? 缓变杂质分布引起的内建电场