图形刻蚀技术 58页.pptVIP

改变 ac 偏压 AC 偏压变化时，刻蚀体现不出差别 改变 dc 偏压 DC 偏压大时刻蚀效果要好，刻蚀速率几乎不变 E tch Param eter Physical E tch (R F field perpendicular to w afer surface) Physical E tch (R F field parallel to w afer surface) C hemical E tch C om bined Physical and C hemical E tch M echanism Physical ion sputtering R adicals in plasm a reacting with w afer surface* R adicals in liquid reacting with w afer surface In dry etch, etching includes ion sputtering and radicals reacting with wafer surface Sidew all Profile Anisotropic Isotropic Isotropic Isotropic to Anisotropic Selectivity Poor/difficult to increase (1:1) Fair/good (5:1 to 100:1) Good/excellent (up to 500:1) Fair/good (5:1 to 100:1) E tch R ate H igh M oderate Low M oderate C D C ontrol Fair/good Poor Poor to non- existent Good/excellent * U sed prim arily for stripping and etchback operations. 改变等离子体刻蚀速率的线性部分 等离子体刻蚀速率的线性系数与刻蚀速率成线性 改变刻蚀腔压强时的刻蚀剖面 改变刻蚀腔压强对离子的能量－角度分布的影响 压强较小时，离子的方向性要好 各向异性刻蚀 Section 11.3 （重点阅读） – 反应离子刻蚀（ RIE ） Reactive Ion Etch 与前面的等离子刻蚀相比， 等离子体的激励增大，反应气体发生了电子 从原子脱离出去的正离子化，成为离子和游 离基分子、原子混在一起的状态。先是游离 基分子、原子被吸附在待蚀物上产生反应产 物，离子在电场中加速并向基片垂直轰击， 加快反应产物的脱离，且在待蚀物上形成损 伤 — 吸附活性点，加快底部刻蚀速率，实现 各向异性刻蚀。 Reactive +ions bombard surface Surface reactions of radicals + surface film Desorption of by-products Anisotropic etch Isotropic etch Sputtered surface material Chemical Etching Physical Etching Chemical Versus Physical Dry Plasma Etching – 工艺控制 ? RF 功率测量与控制 ? 真空测量与控制 ? 等离子场测量与控制 ? 温度测量与控制 工艺条件 对结果的 影响 第 7 章：图形刻蚀技术 (Chapter11) Implant Diffusion Test/Sort Etch Polish Photo Completed wafer Unpatterned wafer Wafer start Thin Films Wafer fabrication (front-end) ? 问题： – 常见的刻蚀对象： SiO 2 、 Si 3 N 4 、 Poly-Si 、磷 硅玻璃、铝或铝合金、衬底材料等 – 即：金属刻蚀、介质刻蚀、硅（半导体）刻 蚀 Photoresist mask Film to be etched (a) Photoresist-patterned substrate (b) Substrate after etch Photoresist mask Protected film Type of Etch Sidewall Profile Diagram