电子功能与元器件3 1 热敏电阻.pptVIP

LOGO NiO 的晶胞，白色的是 O 离子，黑色的是 Ni 离子 （ NaCl 的面心立方结构） LOGO Ni 1-x O 阳离子缺位非定比化合物 Ni 2+ V Ni h · O 2 － V Ni 2 h · Ni 1-x O 有下列缺陷反应： 2 1 O 2 (g) ? O O × ＋ V Ni + h · 2 1 O 2 (g) ? O O × ＋ V Ni +2h · 这两种反应生成的点缺陷如图所示， 两个反应都是在阳离子附近形成空 位，但空位所带有效电荷不同。 LOGO Ni 2+ V Ni h · O 2 － V Ni 2 h · 上述两反应生成的点缺陷分 别是 V Ni 和 V Ni ，同时分别 有 1 个空穴和 2 个空穴生成， 这种空穴在局部特定的 Ni 离 子附近存在时，有如下反应： Ni Ni × ＋ h · ? Ni Ni · 。可以看 成是 Ni 2+ 被氧化成 Ni 3+ 离子。 变价的 Ni 离子 LOGO 3-1-2 NTC 热敏电阻 在较高的温度或较高的氧分压下，一次电离占优势，材料的电 导率为： 2 1 f1 m 4 O H H KP exp 2 kT kT ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? （ 3-23 ） 在更高的温度或更高的氧分压下，二次电离占优势，材料的电 导率为： 2 1 f2 m 6 O H H KP exp 2 kT kT ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? （ 3-24 ） 在较高氧分压下， Ni 1-x O 是 P 型半导体，电阻随温度升高而降低 空穴迁移需要的能量 阳离子空位形成能， ? ? ? ? m 1 f H H LOGO ? 极化子模型： 极化子理论，是指载流子在离子晶体中慢速运动， 由于离子带电荷，载流子与离子间相互作用而产生 极化，并使载流子处于半束缚状态，这种极化状态 称为极化子。极化子分大极化子和小极化子之分。 大极化子：电子云重叠较多，可认为载流子在能带 中运动。 小极化子：载流子局域在能级上，载流子的运动是通 过载流子从一个能级到另一个能级的跃迁实现的。 LOGO ? ? ? ? ? h O o 2 2 Li 1/2O O Li Ni 2 2 ? ? ? ? ? 3 2 Ni Ni h ? ? ? ? ? ? ? Ni Ni 2 2 2 N 2 2 Li 2 2 1/2O O Li i O Ni o 对于具有变价的过渡金属，总的化学式为： 形成 Li 1+--- Ni 3+ 离子对 NiO 中掺入 Li + 离子时 LOGO ? 这个 Li 1+ Ni 3+ 离子对所对应的能级和 Ni 2+ 能级非常 靠近，是一个受主能级，当受主 Li 1+ Ni 3+ 受到激发 时 它 就 吸 收 附 近 的 Ni 2+ 离 子 的 一 个 电 子 形 成 Li 1+ Ni 2+ 而把这个 Ni 2+ 离子变成 Ni 3+ 离子，由于 Ni 是 易变价元素，这种变换可以继续下去，使 Ni 3+ 在整 个晶体的氧八面位置中迁移，相当于空穴在晶体 中运动。 LOGO ? 当受到电场的定向作用时就产生电导，其传导电流 的方式为： Ni 3+ +Ni 2+ → Ni 2+ +Ni 3+ 这种通过电子变换的导电方式和在 Si 、 Ge 等元素半 导体中的导电方式并不一样，电导并不是由于载流 子（空穴）在满带中运动的结果，而是在能带之间 的跳跃，因此可以把这种电导叫跳跃式电导或称为 跳跃电导模型。 LOGO ? NTC 热敏陶瓷半导体大多数是由尖晶体结构晶体 所组成，这种结构的单位晶胞共有 8 个 A 金属离子、 16 个 B 金属离子和 32 个氧离子，由此得出尖晶石 单位晶胞的通式为 A 8 B 16 O 32 简约为 AB 2 O 4 。 二、 NTC 热敏电阻半导体的晶格结构 LOGO 3-1 热敏电阻 LOGO 主要内容 3-1-1 PTC 热敏电阻 一、 BaTiO 3 的晶格特征 二、 PTC 效应的实验基础 三、 BaTiO 3 PTC 效应的理论分析 1 、海望 - 焦克模型 2 、丹尼尔斯模型 3-1-2 NTC 热敏电阻 一、几种过渡金属氧化物的基本性质 二、 NTC 热敏电阻半导体的晶格结构 三、 NTC 热敏半导体陶瓷的导电机理 四、引入杂质对电导机制的影响 LOGO 热敏电阻是开发早、种类多、发展较成熟的敏 感元器件．热敏电阻由半导体陶瓷材料组成 , 原 理是温度引起电阻变化．若电子和空穴的浓度分 别为 n 、 p ，迁移率分别为μ n 、μ p ，则半导体的电 导为： σ=q（nμ n +pμ p ） 因为 n 、