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铸造多晶硅中的金属杂质及其对硅片性能的影响 摘要： 关键词 ：多晶硅 铸造多晶硅 金属杂质 正文： 金属杂质特别是过渡金属杂质，在原生铸锭中的浓度般都低于 1 ×10”cm 3 ，但是它们无论是 单个原子形式，或者以沉淀形式出现，都 对太阳能 池的转换效率有重要的影响。近期由于硅料中所含金属杂 质超标，导致多个晶锭出现 阻率严重异常而整锭报废，另外还出现 较多晶棒切片后的硅片 阻率出现较大波动，对公司的经济效益带来 严重的影响。下面对铸造多晶硅中金属杂质的性质及其对硅片性能的 影响进行详细的分析，为多晶硅片的生产及异常硅片的处理提供一定 的参考。 1. 铸造多晶硅中金属杂质的来源 铸造多晶硅中的金属杂质主要有 Fe，Al ，Ga，Cu，Co，Ni 等，铸 造多晶硅中金属杂质的来源主要有以下几个方面： A ． 原生硅料中含有一定量的金属杂质，这也是金属 杂质的一个主要来源。目前由于硅料异常紧缺，导致一些 含杂质较多的硅料在市场上流通，造成铸出的晶锭出现问 题的事故时有发生。 B． 在硅料的清洗，铸锭及切片的整个过程中由于使 用各种金属器件接触，导致金属杂质的引入。这也是铸造 多晶硅中金属杂质含量偏高的一个主要原因。整个工艺流 程中引入金属杂质的途径有很多，例如硅料清洗过程中清 洗液的残留，晶锭转运过程中使用的不锈钢转运车，多晶 硅棒破碎过程中所使用的铁锤等。 2. 过渡族金属在硅片中的扩散和溶解 硅中金属杂质的引入可以在晶体生长过程中，或者在硅片的抛光、 化学处理、离子注入、氧化或其他处理过程中首先在表面附着，随后 后续的高温热处理过程中扩散进入硅基体。 A ．金属杂质在硅锭中的分布 在高温（800℃）下，过渡族金属一般都有很快的扩散速度而溶解 度则相对较小。Cu、Ni 为快速扩散杂质，在高温下，Cu、Ni 的扩散速 率甚至可以接近于液相时的扩散速率，达到 10-4cm2/s。而其他的金 属杂质，如 Fe、Cr 等为慢扩散杂质，一般比 Cu、Ni 的扩散速率慢一到 两个数量级，但在高温下仍可以达到几十到几百微米每秒。 在经过定向凝固的多晶硅锭中，金属杂质的浓度分布呈现出两头 高中间低的趋势 B. 金属杂质在硅中的溶解度 硅中金属杂质的溶解度可用下面的热力学动力学表达式表示： Ceq  eG / K T  es / K eH / K T  C e / K T 0 其中 H，S，G 分别为焓 （enthalpy），熵 （entropy）和自由能（free energy）。 G  Eb  Ec  Es Eb 为金属杂质与临界相间的束缚能； Ec 为金属杂质与硅形成化合物时，金属外层 子与硅外层 子 的结合能； Es 为金属原子在硅晶胞中的弹性应变能。 5．3．1 实验样品及过程 实验样品为包含原始头部及尾部的长条形硅片，如上一节中图 5-2．1。将样品于 200℃热处理十分钟左右，快速退火，用微波光电导 衰减仪分别测量样品处理前后的少子寿命值，根据前后少子寿命的变 化而计算出 Fe 浓度，微秒具体关系式为：【Fe】=K·(1/ ；一 1，Tm。)。基 冉 K。一 m=3 ．4xl 萨 us／c 隶。 5．3．2 实验结果与讨论 图5 3．1 间隙铁浓度沿硅锭生长方向分布图 由上图可以得知，间隙铁浓度沿硅锭长度方向的分布特征为 ：底 部和顶部处浓度明显较高，数量级约为 lO“泖一，中间部分浓度分布 较为均匀，且其浓度基本上均低于 5×10“删～。由于铁的分凝系数远 小于 l“” ，所 顶部处铁浓度较高可以理解为由铁在硅熔体中