电工学 14秦曾煌主编第六版下册电子技术第14章.ppt

(14-30) 二极管： 死区电压 =0 .5V ，正向压降 ? 0.7V( 硅二极管 ) 理想二极管： 死区电压 =0 ，正向压降 =0 R L u i u o u i u o t t 二极管的应用举例 例 1 ： 二极管半波整流 (14-31) 例 2 ： 已知：管子为锗管， V A = 3V ， V B = 0V 。 导通压 降为 0.3V ， 试求： V Y = ? 方法：先判二极管谁优先导通， 导通后二极管起嵌位作用 两端压降为定值。 因： V A V B 故： D A 优先导通 D B 截止 若： D A 导通压降为 0.3V 则： V Y = 2.7V 解： P12 ：例 14.3.2 D A -12V V A V B V Y D B R (14-32) 例 3 ： 已知：管子为锗管， V A = 3V ， V B = 0V 。 导通压 降为 0.3V ， 试求： V Y = ? 方法：先判二极管谁优先导通， 导通后二极管起嵌位作用 两端压降为定值。 因： V A V B 故： D B 优先导通 D A 截止 若： D B 导通压降为 0.3V 则： V Y = 0.3V 解： P12 ：例 14.3.2 D A V A V B D B V Y +12V R (14-33) u i 8V ，二极管导通，可看作短路 u o = 8V u i 8V ，二极管截止，可看作开路 u o = u i 已知： 二极管是理想的，试画 出 u o 波形。 V sin 18 i t u ? ? 8V 例 4 ： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 u i t ? 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R u o u i + + – – (14-34) U I 硅管 0.5V 锗管 0.1V 反向击穿 电压 U (BR) 导通压降 外加电压大于死区电 压，二极管才能导通。 外加电压大于反向击 穿电压时，二极管被击 穿，失去单向导电性。 硅 0 .6~0.8V 锗 0.2~0.3V 死区电压 P N + – P N – + 反向电流在一 定电压范围内 保持常数。 伏安特性： 非线性 (14-35) 符号 U Z I Z I ZM ? U Z ? I Z 伏安特性 稳压管正常工作时， 需加反向电压，工作 于反向击穿区。 使用时要加限流电阻 稳压原理： 稳压管反向击穿以 后，电流变化很大， 但其两端电压变化 很小。 _ + U I O § 14.4 稳压二极管 曲线越陡 电压越稳 (14-36) (1) 稳定电压 U Z 稳压管正常工作 ( 反向击穿 ) 时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数 ? U 环境温度每变化 1 ? C 引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 Z Z Z U I r ? ? ? (4) 稳定电流 I Z 、最大稳定电流 I ZM (5) 最大允许耗散功率 P ZM = U Z I ZM r Z 愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 稳压二极管的主要参数 : (14-37) 例 1 ： 已知： U z = 12V ， I ZM = 18mA ， R = 1.6 K Ω 。 试求： I z = ? 限流电阻 R 的阻值是否合适？ 解： I z = ( 20 – U z ) / R = ( 20-12 ) / 1.6x10 3 = 5mA 因： I Z I ZM 故：限流电阻 R 的阻值合适 P14 ：例 14.4.1 + I Z D Z +20V R =1.6k ? U Z =12V I ZM =18mA (14-38) 14.5.1 基本结构 常见：硅管主要是平面型，锗管都是合金型 (a) 平面型 (b) 合金型 B E P 型硅 N 型硅 SiO 2 保护膜 铟球 N 型锗 N 型硅 C B E C P P 铟球 结 构 图 § 14.5 晶体管 (14-39) NPN 型晶体管 PNP 型晶体管 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 基极 发射极 集电极 C E N N P B 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 集电极 发射极 基极 C E P P N B N N C E B P C E T B I B I E I C 符号 B E C P P N E T C B I B I E I C 符号 (14-40) 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 (14-41) B E C N N P 三极管放大的外部条件： 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 V B V E 集电结反偏