SOICMOS工艺及产品介绍演示幻灯片.pptVIP

SOI/CMOS 工艺及产品介绍 工程部 2014-7-1 ? 概述 ? 典型 SOI 材料主流制备技术 ? SOI 器件特性 ? 产品介绍 ? 概述 ? 概述 1. 器件尺寸缩小，给体硅集成电路发展带来问题 -- 静态功耗限制了 Vt 的进一步降低 -- 栅氧化层厚度的降低，引起栅漏电以及带来可靠性问题 -- 寄生闩锁效应使电路可靠性降低 -- 功耗以及热耗问题已经成为“瓶颈” -- 器件隔离面积的相对增大，影响集成度和速度进一步提升 -- 复杂的新工艺和昂贵的设备 2. 对策 -- 深槽隔离 --Halo 以及倒阱结构 -- 应变沟道 -- 高 K 值栅介质材料 -- 新衬底材料 SOI -- 新化合物衬底材料 ? 概述 3. SOI 优势 (Silicon on Insulator) -- 速度高：结电容小； SOI 器件的迁移率较高（低 Vt 带来纵向电场小 ) -- 功耗低：静态功耗 =IL*VDD, IL 较小导致静态功耗低； 动态功耗 =C*f*VDD; 因 为结电容较低，所以动态功耗较小。 -- 比较适合小尺寸器件 SOI 器件的短沟效应较小；无体穿通问题；泄露电流小 -- 特别适合低压低功耗器件 SOI 器件 -- 工艺步骤少，且与体硅工艺相容 -- 抗辐照特性好 如采用全介质隔离结构，彻底消除体硅 CMOS 的闩锁效应，同时 具有极小的结面积，因此抗软失效、瞬时辐照的能力较强。 4. SOI 存在的问题 --SOI 材料质量，有待于提高。成本有待于降低。 --SOI 器件本身存在的寄生效应： 浮体效应以及自加热效应 --SOI 器件特性有待于更深一步的了解，器件模型以及 EDA 仿真工具不完善 -- 体硅技术的快速进展也抑制了 SOI 的研究与应用的进程 ? SOI 材料主流制备方法及其特点 ? EPI ? SIMOX ? BSOI ? Smart-Cut 顶部硅层 介质埋层 硅衬底 ? SOI 材料主要结构 介质层 顶部硅层 SOS 结构 SOI 结构 1. 异质外延 ( 蓝宝石上外延硅 ) -- 把蓝宝石作为衬底，在其上外延生长单晶硅膜 -- 只在一定程度上取得了成功，难以扩大应用 1 ） 界面上存在晶格失配，从而产生位错、层错或者孪晶等缺陷。质量难以控制 2 ） 蓝宝上的介电常数为 10 ，此数值较大，会产生较大的寄生电容 3 ） 蓝宝石与硅的热膨胀系数相差一倍，使得外延降温时，在硅中形成压应力 4 ） 蓝宝石中的 Al 在高温过程中，扩散进入硅中，恶化硅膜的纯度 5 ） 蓝宝石导热性差，器件散热不良 ? SOI 材料主要制备技术 2. 注氧隔离 (SIMOX ）技术 --Separation by Ion Implantation Oxygen --150~200keV , 1.8E18 600~650 ℃ 注入 -- 高温退火以消除注入缺陷和进一步形成隔离层 -- 优点 1 ）简单易行，能得到良好的单晶层，与常规器件工艺完全相容。 2 ）注氧时以晶片表面为参考面，因而其顶层硅膜和氧化埋层的均匀性好，厚度 可控性好，硅 - 绝缘介质层界面特性较好。 -- 缺点 1 ）缺陷密度较高（ 10 4 cm -2 ），硅膜的质量不如体单晶硅。 2 ）埋层 SiO 2 的质量不如热生长的 SiO 2 。 3 ）需要昂贵的大束流注氧专用机；退火炉进行高温长时间退火，因而成本较高。 3. 硅片键合 SOI 技术 (BSOI) BSOI 原理示意图 -- 将两个抛光好的硅片，表面生长氧化层， 然后对硅片进行亲水处理，使表面吸附较 多的 OH - 团，在室温超净环境下将两个硅片 粘合，并在氮气保护下加热到 700 ℃ 脱水， 再升温到 1100 ℃ 退火使两个硅片完全键合， 最后将顶部硅片减薄至使用要求。 -- 优点 1 ）顶层硅膜为本体硅，不会产生由离子注入造成的损伤和缺陷； 2 ）介质隔离层为热氧化膜，膜层缺陷密度和针孔密度均较低； -- 缺点 1 ）界面缺陷和顶部硅薄层的均匀性（硅厚度的 10% ）难以控制； 2 ）不能得到顶部硅膜很薄的 SOI 结构； 4. 智能剥离 SOI 技术 (Smart-Cut) Smart-Cut 原理示意图 -- 氧化：将硅片 B 热氧化一层二氧化硅，将作为 SOI 材料的隐埋氧化层。 -- 离子注入：室温下，以一定能量向硅片 A 注入一定剂量的 H + ，用以在硅表面层下 产生一个气泡层。 -- 键合：将硅片 A 与另一硅片 B 进行严格清洗和亲水处理后在室温下键合，整个 B 片将成为 SOI 结构中的支撑片。 -- 热处理：第一步热处理使注入、键合后的硅片（ A 片）在注 H + 气泡层处分开，上 层硅膜与 B 片键合在一起，形成 SOI 结构。 A 片其余的