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精品文档 第八章 硅中的杂质 半导体硅晶体是高纯材料，对杂质的引入非常敏感，人们有意掺入电活性杂质 ( 如硼、磷等 ) ， 来控制它的电学性能，以制造不同功能的器件。但是，在硅晶体生长和器件制造的工艺过程中， 常常会由于各种原因无意地引入电活性或非电活性的杂质，这些杂质或者它们所造成的二次缺陷 对硅材料和器件的性能有破坏作用，因而引起人们的高度重视。一般在硅晶体中无意引入的杂质 可分为两大类，一类是轻元素杂质，包括氧、碳、氮和氢杂质；另一类是金属杂质，主要是指铁、 铜和镍等 3d过渡金属。这些杂质由不同的途径进入硅晶体，对它的机械和电学性能也有不同的影 响。在 7 ．1．1节中已一般地讨论了作为硅中的非本征点缺陷即硅中的杂质的一般性质和行为，本 章分别介绍氧、碳、氮、氢杂质和过渡金属杂质在硅中的基本性质，它们在硅中的沉淀，它们之 间的相互作用，以及它们对硅材料和器件性能的影响。 8．1 硅中的氧