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精品文档 第八章 半导体发光 研究一种新型半导体材料，首先是要对它的光电以及结晶品质等进行研究。对于光 电子材料。对它的发光性质的研究是一个重大课题，有大量的工作可做。可以说每一 种光电子材料的光学性质研究都有大量文献报道。通过对材料的发光性能的研究，可 以判定材料的生长质量，发光特性，杂质情况，杂质电离能，适合不适合制作发光器 件等。 画光谱图 1. 辐射跃迁：处于激发态的电子向较低的能级跃迁，同时发射光子的过程。要求系统 处于非平衡状态，一般通过一些外加的激发手段才能达到。 电致发光： 电流激发。 阴极射线发光： 电子束激发。 光致发光： 光激发，入射光子能量要大于材料禁带宽度。 2 ．发光波长与能量的关系： λ=c/v=hc/E=1240/E （nm），E单位为电子伏特（ eV） 3．带- 带跃迁： 导带的电子跃迁到价带，与空穴复合，自由载流子复合。 （激子效应对 半导体发光光谱有更重要的影响，但在较高实验温度下和对于纯度较差的样品，可以 观察到带 - 带跃迁） 发光光谱形状： F( hv ) ∝( hv ) 2 （hv-Eg ）1/2 exp-(hv-Eg)/KT 特征： 发光峰在 Eg 附近。发光峰具有一个高能量尾部，在 hv=Eg 处，低能量边 缘突然截止。在低激发情况，发射峰的半峰宽近似等于 0.7kT 。随掺杂浓 度增加和费米能级深入导带，发光峰峰位置和高能边缘均向高能量方向 移动。增加激发和升高温度也可导致发光向高能方移动。自吸收导致实 验观测的发光光谱向低能方向漂移。 K ：玻尔兹曼常数， 8.62x10 -5 电子 伏特 / 度。 300K 时，KT约 26meV。77K 时，KT 约 6.6meV。 4 ． 自由激子： 自由电子和自由空穴由与库仑力作用而束缚在一起所形成的系统，可 在晶体中运动。电子与空穴之间的作用类似与氢原子中电子与质子的相 互作用。自由激子代表了低激发密度下纯半导体中电子和空穴的能量最 低的本征激发态。 （对足够纯的半导体材料，低温下本征辐射复合的主 要特征可以是激子复合导致的狭窄谱线。按激子复合发光模型，发光谱 低能端应在激子波矢 0 对应的激子能量处突然截止，考虑激子效应时， 。 1 欢迎下载 精品文档 有时还需考虑激子和光子耦合导致的激子极化激元的效应，可以解释实 验观察到的发光谱线的低能带尾） 。温度较低，材料纯度较高时可观察 到。 发光峰能量： hv= hv=Eg-Eex 4 2 2 2 2 2 2 束缚能： E =-m*q /8 ε h n = （m* /m ）（13.6/ ε ）（1/n ） ex r r ε0 r o r r r p p n m* 为电子和空穴的折合质量 m *=m* / （m*+m* ）