电子技术基础 第3章场效应晶体管放大电路.ppt

Chap 第 3 章 场效应晶体管放大电路 成都理工大学工程技术学院 自动化工程系 雷永锋 2019 Chap 第 3 章 场效应管放大电路 Sect 3.1 、结型场效应管 3.2 、绝缘栅场效应管 MOS 3.3 场效应管的主要参数 3.4 场效应管放大电路 Chap 场效应管 FET 与三极管 BJT 的区别 Sect 1. BJT: 是 电流控制元件 ； FET: 是 电压控制元件 。 2. BJT 参与导电的是 电子 — 空穴 ，因此称其为双极型器件； FET 是电压控制元件，参与导电的只有 一种载流子 ，称为单级型器件。 3. BJT 输入电阻较低 ，一般 10 2 ~10 4 ? ； FET 输入电阻高 ，可达 10 9 ~10 14 ? 场效应管的分类 结型场效应管 JFET MOS 型场效应管 MOSFET 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 Chap 3.1 、结型场效应管 Sect 3.1.1 、结构与工作原理 漏极 D 集电极 C 栅极 G 基极 B 源极 S 发射极 E 导通条件： ? U GS ? 0 U BE ? 0 ? U DS ? 0 U BC ? 0 1) 在一定 UDS 作用下 , 栅源极电压 为负 , 栅源极勾道通 , U GS 决定 电流 i D 的大小 2) 沟道中只有一种截流子 —— 单极型晶体管 1 、结构 Chap 2. JFET 工作原理 N 沟道 结型场效应三极管只能工作在 负栅压 区， P 沟道 的只能工作在 正栅压 区， 当 U GS =0 时， 沟道较宽 ，在 U DS 的作用下 N 沟道内的电子定向运动形成漏极电流 I D 。 当 U GS ＜ 0 时， PN 结反偏， PN 结加宽，漏源间的 沟道将变窄 ， I D 将减小 ， 当 U GS 继续向负方向增加，沟道继续变窄， I D 继续减小直至为 0 。 当 漏极电流为零 时 所对应的 栅源电压 U GS 称为 夹断电压 U P 。 P + P + N G S D U DS I D D P + P + N G S U DS I D U GS 预夹断 U GS =U P 夹断状态 I D =0 Sect 导电沟道 Chap 3.1.2 JFET 特性曲线 U P 转移特性曲线 输出特性曲线 Sect ∣ ) ( DS D U f i ? const GS ? U 1. 输出特性曲线： ? 可变电阻区 ? 线性放大区 I D =gm U GS ? 击穿区 I DSS ：饱和栅极漏极电流 , U GS =0 U P ： 预夹断电压 , i D =0 U T ： 开启电压 , 不通转通 2. 转移特性曲线 ： 2 P GS DSS D ) (1 U U I I ? ? U T Chap 3.2 、绝缘栅场效应管 MOS Sect 3.2.1. N 沟道增强型 MOS 场效应管 漏极 D→ 集电极 C 源极 S→ 发射极 E 栅极 G→ 基极 B 衬底 B 电极 — 金属 绝缘层 — 氧化物 基体 — 半导体 称之为 MOS 管 类型： N 沟道 增强型 P 沟道 耗尽型 退出 1. 结构和工作原理 Chap 当 U GS 较小 时，虽然在 P 型衬底表面形成 一层 耗尽层 ，但负离子不能导电。 当 U GS =U T 时 , 在 P 型衬底表面形成一层 电子层 ，形成 N 型导电沟道 在 U DS 的作用下形成 I D 。 U DS I D + + - - + + - - + + + + U GS 反型层 当 U GS =0V 时，漏源之间相当两个背靠背的 PN 结，无论 U DS 之间加上电压 不会在 D 、 S 间形成电流 I D , 即 I D ≈0. 当 U GS U T 时 , 沟道加厚，沟道电阻 减少， 在相同 U DS 的作用下 I D 将进一步增加 开始无导电沟道，当在 U GS ? U T 时 才形成沟道 , 这种类型的管子称为 增强型 MOS 管 Sect ? N 沟道增强型 MOS 工作原理 Chap 2.N 沟道增强型 MOS 特性曲线 U DS 一定时， U GS 对漏极电流 I D 的控制 关系曲线 I D = f ( U GS ) ? U DS =C 1). 转移特性曲线 U DS U GS -U T U GS (V) I