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六、晶体硅太阳能电池腐蚀（又称制绒）工艺 5、烘干 目的：通过高净空气或氮气加热后对硅片与花篮之间的夹角或脱水不到的地方进行干燥。 要求：高洁净度空气或氮气，温度80℃左右，烘干时间5min/每工位。 达到：硅片、花篮各处干燥，硅片表面无白点和花斑。 六、晶体硅太阳能电池腐蚀（又称制绒）工艺 LOGO 太阳能光伏电池基础知识 1.太阳能光伏电池的分类 2.晶体硅太阳能电池的制作过程 3.太阳能电池的应用 4.晶体硅太阳能电池片的要求及工艺 5.腐蚀和表面结构 6.晶体硅太阳能电池生产工艺 7.晶体硅电池表面去PSG工艺 一、太阳能光伏电池的分类 1、目前世界大规模生产的太阳能电池分为两大类，一类是晶体硅电池，目前市场占95%份额，其中多晶硅52%左右，单晶硅38%左右，带硅片硅电池3%，另一类是薄膜太阳能电池。在目前硅原料紧张的情况下各种薄膜太阳能电池将会有很大的发展空间。到2010年将占光伏市场10%~20%左右。 2、目前公司生产的单多晶制绒硅片清洗、刻蚀、扩散炉、丝网印刷等设备均属于晶体硅太阳能电池的生产，而非晶硅链式清洗设备、光刻前清洗设备、磨边后清洗设备等均属于薄膜太阳能电池。 一、太阳能光伏电池的分类 3、太阳能电池发电原理： 太阳能电池是一对光有响应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅、多晶硅原理基本、非晶硅，砷化稼，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂可得N型硅，形成P-N结当光线照射太阳能电池表明时，一部分光子被硅材料吸收；光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了跃迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实质是：光子能量转换成电能的过程。 二、晶体硅太阳能电池的制作过程 “硅”是我们这个星球上储量最丰富的材料之一。自从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。20世纪末，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。生产过程大致可分为五个步骤： a、提纯 b、拉棒 c、切片 d、制电池 e、封装 三、太阳能电池的应用 上世纪60年代，科学家们就已经将太阳能电池应用于空间技术——通信卫星供电，上世纪末，在人类不断自我反省的过程中，对于光伏发电这种如此清洁和直接的能源形式已愈加亲切，不仅在空间应用，在众多领域中也大显身手。如：太阳能庭院灯、太阳能发电户用系统、村寨供电的独立系统、光伏水泵（饮水或灌溉）、通信电源、石油输油管道阴极保护、光缆通信泵站电源、海水淡化系统、城镇中路标、高速公路路标等。欧美等先进国家将光伏发电并入城市用电系统及边远地区自然村落供电系统纳入发展方向。太阳能电池与建筑系统的结合已经形成产业化趋势。 四、晶体硅太阳能电池片的要求及工艺 晶体硅包括单晶硅和多晶硅，多晶硅的制备方法大致是先用碳还原SiO2成为Si,用HCL反应再提纯获得更高纯度多晶硅，单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定型硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。硅的单晶体具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核成长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。(next) 四、晶体硅太阳能电池片的要求及工艺 单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的VA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。 工业上生产太阳电池流程可以简化成：制备硅片→扩散制结→沉积减反射膜和钝化膜→制成电池→封装 五、腐蚀和表面结构 1、表面腐蚀 切割后的硅片表面有一层10~20μm厚的切割损坏层，在电池制备前必须去除，常用的腐蚀剂为加热到80~90℃的20%~30%的NaOH或KOH溶液。由于碱液腐蚀的各向异性，多晶硅的腐蚀不能采用碱性溶液腐蚀，因为如果腐蚀速度过快或腐蚀时间过长，在晶界处会形成台阶，为以后电极的制备带来麻烦。利用各向同性的硝酸、乙酸和氢氟酸混合溶液可以避免这一问题，但是酸液腐蚀速度过快而难于控制，且这种酸液的废液也难以处理。 五、腐蚀和表面结构 2、扩散制结 工业中典型的制结分为两步，第一步用