半导体物理学(第7版)第三章习题和答案.docxVIP

第三章习题和答案 100 2 1. 计算能量在 E=E到 E EC 之间单位体积中的量子态数。 c 2mn* L2 解： 3 1 V （2mn*）2 g(E) ( E EC)2 2 2 3 dZ g( E)dE 单位体积内的量子态数 Z 0 dZ V Ec 100 2 Ec 100h 2 3 2 mn l 2 8mnl 2 * 1 1 2 Z 0 g (E)dE V （2mn） (E EC )2 dE V 2 2 3 E C EC 3 100h 2 V （2mn*）2 2 3 2 Ec 2 EC ) 2 2 3 ( E 8mn L 3 Ec 1000 3L3 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（ 3-6 ）。 2.证明： si、Ge半导体的 E（IC）~ K关系为 （ ） h2 kx2 ky2 kz2 EC k EC ( ) 令k x ( 2 mt ml , k z ( ma ) 2 kz ma ) 2 k x , ky ( ma ) 2 k y 1 1 1 mt mt ml 则： Ec ( k ) Ec h 2 (k x k y kz ) 2 2 2 2ma 在k 系中 ,等能面仍为球形等能面 1 mt mt ml 2 在k 系中的态密度 g (k ) 3 V ma k 1 2ma (E EC ) h  在E ~ E dE空间的状态数等于 k空间所包含的状态数。 即d z g(k ) Vk g (k ) 4 k 2 dk 1 3 dz 2(mt 2 4 mt ml ) 3 1 g ( E) h 2 (E Ec ) 2V dE 对于 si导带底在 100个方向，有六个对称的 旋转椭球，锗在（111）方向有四个， g (E) sg (E) 2mn 3 1 4 ( 2 ) 2(E Ec ) 2 V h 2 1 mn s 3 mt2 ml 3 当 E-EF 为 1.5k 0T，4k0T, 10k 0T 时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。 费米能级 费米函数 玻尔兹曼分布函数 1 E EF E EF f ( E) E EF f ( E) e k0T 1 e k0T 1.5k 0T 0.182 0.223 4k0T 0.018 0.0183 10k T 4.54 10 5 4.54 10 5 0 画出 -78 oC、室温（ 27 o C）、500 o C三个温度下的费米分布函数曲线，并进行比较。 ** NC , N V 以及本征载流子的浓度。 5. 利用表 3-2 中的 mn， mp 数值，计算硅、锗、砷化镓在室温下的 NC 2( 2 koTmn ) 3 2 2 h Nv2( 2 koTmp ) 32 h2 E g 1 ni ( N c N v ) 2 e 2koT Ge : mn 0.56m0 ; mp o.37m0 ; E g 0.67ev si : mn 1.08m0 ; mp o.59m0 ; Eg 1.12ev Ga As : mn 0.068m0 ; mp o.47m0 ; Eg 1.428ev 计算硅在 -78 o C，27 o C，300 o C时的本征费米能级，假定它在禁带中间合理吗？ 的本征费米能级， Si : mn 1.08m0 , mp 0.59m0 Si EF Ei EC EV 3kT mp 2 ln mn 4 当T1 195K时， kT1 3kT 0.59m0 0.0072eV 0.016eV, ln 4 1.08m0 当T2 300K时， kT2 0.59 0.012eV 0.026eV, 3kT ln 1.08 4 当T2 573K时， kT3 0.0497eV, 3kT ln 0.59 0.022eV 1.08 4 所以假设本征费米能级在禁带中间合理，特别是温度不太高的情况下。 7. ①在室温下，锗的有效态密度 Nc=1.05 19 -3 18-3 * 10 cm ，NV=3.9 10 cm ，试求锗的载流子有效质量 mn * 和 N 。 已知 300K 时， E =0.67eV。77k 时 E =0.76eV。求这两个温度时锗的本 m 。计算 77K 时的 N p C V g g 征载流子浓度。② 77K 时，锗的电子浓度为 17 -3 Ec-ED=0.01eV，求锗中 10 cm ，假定受主浓度为零，而 施主浓度 D k0Tmn 3 E 为多少？ （ ）根据 N c 2( 2 ) 2 7. 1 2 N v 2( k 0Tm p 3 2 2 ) 2 得 2 2 2 N c 3 31 0.56m0 5.1 10 kg m