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浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题（ 9 ）答案
一、填空题： （每空一分）
1、 提高（增加） ，增加。
2 、 饱和。
3 、 小于，共模干扰抑制能力强。
4 、 60 ，1000。
5 、 反向击穿。
6 、 将交流电变成单向脉动直流电，单向导电性。
7 、 能够让某一频带范围以内的信号通过而带外的信号被阻止，低频。
8 、 高。
＞1， φ ＋ φ ＝2n п （n=0,1,2, …）
9 、 A F A F
二、 解： 波形如解下图所示——（ 5 分）
三、 解：
（1 ） 当 U ＝0V 时由 于 U ＝ 0V ， 则 T 截 止 ， U ＝ Uz= 5V 。 — — （5 分 ）
I B E o
（2 ） 当 u ＝ +5V 时，电路的临 界 饱 和 基 极 电 流
I
VCC U CES
I BS 0.23mA
R
c
而 实 际 基 极 电 流
U i U BE
I B 0.43mA
Rb
由 于 IB ＞ IB S ， 故 T 饱 和 ， U C ＝ UC ES ＝ 0.5V 。 — — （5 分 ）
四 、 解 （每 步 骤 4 分 ， 共 20 分 ）
1 ( R1 ∥ rbe2 )
Au 1 100
rbe1
2 R4
Au 2 84
rbe2
Au Au1 Au2 8400
R ( R R ∥ R ) ∥ r 1.2k
i 5 2 3 be1
Ro R4 1k
五、 解 ： Au 、 Ri 和 Ro 的 表 达 式 分 别 为 — — （每 个 结 果 5 分 共 15 分 ）
A g ( Rd ∥ R )
u m L
R R R ∥ R
i 3 1 2
R R
o d
六 、 解 ： 由 图 可 知 R ＝ 50k Ω ， u ＝ － 2 u 。 — — （2.5 分 ）
i M I
iR2 iR4 i R3
uM uM uM uO
即
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