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影响太阳电池转换效率的因素 一、 禁带亮度 VOC 随Eg 的增大而增大，但另一方面，JSC 随Eg 的增大而减小。结果是可期望在某一个确 定的 Eg 随处出现太阳电池效率的峰值。 二、温度 随温度的增加，效率 η下降。Ishy;SC 对温度T很敏感，温度还对 VOC起主要作用。 对于 Si，温度每增加 1°C，VOC 下降室温值的 0.4%，h 也因而降低约同样的百分数。例如， 一个硅电池在 20°C 时的效率为 20%，当温度升到 120°C 时，效率仅为 12％。又如 GaAs 电池，温度每升高 1°C，VOC 降低1.7mv 或降低0.2%。 三、复合寿命 希望载流子的复合寿命越长越好，这主要是因为这样做 ISC 大。在间接带隙半导体材料如 Si 中，离结100mm 处也产生相当多的载流子，所以希望它们的寿命能大于 1ms。在直接带隙 材料，如 GaAs 或Gu2S 中，只要 10ns的复合寿命就已足够长了。长寿命也会减小暗电流并 增大 VOC。 达到长寿命的关键是在材料制备和电池的生产过程中，要避免形成复合中心。在加工过程中， 适当而且经常进行工艺处理，可以使复合中心移走，因而延长寿命。 四 光强 将太阳光聚焦于太阳电池，可使一个小小的太阳电池产生出大量的电能。设想光强被浓缩了 X 倍，单位电池面积的输入功率和 JSC 都将增加X倍，同时 VOC 也随着增加(kT/q)lnX 倍。 因而输出功率的增加将大大超过 X倍，而且聚光的结果也使转换效率提高了。 五 掺杂浓度及剖面分布 对 VOC 有明显的影响的另一因素是掺杂浓度。虽然 Nd 和 Na出现在 Voc定义的对数项中，它 们的数量级也是很容易改变的。掺杂浓度愈高，Voc 愈高。一种称为重掺杂效应的现象近年 来已引起较多的关注，在高掺杂浓度下，由于能带结构变形及电子统计规律的变化，所有方 程中的 Nd 和Na 都应以（Nd）eff 和（Na）eff 代替。既然（Nd）eff 和（Na）eff 显现出峰 值，那么用很高的 Nd 和Na 不会再有好处，特别是在高掺杂浓度下寿命还会减小。 目前，在 Si太阳电池中，掺杂浓度大约为 1016cm-3，在直接带隙材料制做的太阳电池中约 为 1017 cm-3，为了减小串联电阻，前扩散区的掺杂浓度经常高于 1019 cm-3，因此重掺杂 效应在扩散区是较为重要的。 当 Nd 和 Na或（Nd）eff和（Na）eff不均匀且朝着结的方向降低时，就会建立起一个电场， 其方向能有助于光生载流子的收集，因而也改善了 ISC。这种不均匀掺杂的剖面分布，在电 池基区中通常是做不到的；而在扩散区中是很自然的。 六 表面复合速率 低的表面复合速率有助于提高 ISC，并由于 I0 的减小而使 VOC 改善。七 串联电阻 本资料来源于网络，版权归原