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第三章 高分辨电子显微学;透射电镜成像原理 具有一定波长的电子束，穿过试样，就带有了试样的结构信息。这些带有结构信息的波，在物镜的后焦面上汇聚，形成衍射斑。在后焦面上的衍射波继续向前运动，衍射波就会合成，在像平面上形成放大的倒立的像。将生成衍射花样的后焦面上的空间称为倒易空间，将试样位置或成像平面称为实空间。从实空间到倒易空间的变化，在数学上用傅里叶变换来表示。 在透射电镜中，调节电子透镜，很容易观察到实空间和倒易空间的信息。;电子散射和傅里叶变换 具有波数k（k=2? /?）的平面波exp(ikr)入射到试样上发生散射，试样对平面波的作用为q(x,y), 从试样上一点(x,y)到距离r的(s,t)点的散射振幅为：;因为R?? x, y，所以作近似处理：;（1）入射电子在物质内散射 试样很薄，忽略试样内电子的吸收，只引起入射电子的相位变化（相位体近似），可以用透射函数来表示试样的作用：; 试样内部的平均势与原子序数有关，还依赖于密度。一般，重原子组成的物质的平均势较大。 在试样厚度?z较小（2~3nm）的薄试样中，（1）式的指数项远小于1，所以可展开（弱相位体近似）： q(x,y)?1+i??(x,y)?z (2) ;（2）通过物镜后，在后焦面上形成衍射波 在后焦面上的电子散射振幅可用透射函数公式（2）的傅里叶变换来表示：;（3）在像平面上形成高分辨电子显微像 像平面上的电子散射振幅由后焦面上散射振幅的傅里叶变换给出： ;为简单起见，不考虑物镜光栏的作用，即： C(u,v)=1 再假设理想的物镜条件： exp(i?(u,v)) = ?i, u,v?0 则像的强度变为：;图为200kV电镜(球差系数Cs =0.8mm)和400kV电镜(Cs =1.0mm)在最佳聚焦条件下（谢尔策聚焦(Scherzer focus)），物镜的衬度传递函数的虚部，sin(?(u,v))。可见200kV下在1.7~4.3nm-1和400kV下在2.1~5.7nm-1很宽范围内传递函数的虚部都接近于1。所以在谢尔策聚焦条件下，可以得到;高分辨电子显微像的衬度 ??(-x,-y)?z具有比1小得多的值，重原子或轻原子组成的原子列在电子束方向上时，由于重原子???具有较大的势，所以在重原子的位置上像的强度弱，轻原子的位置像的强度大。;超导氧化物TlBa2Ca3Cu4O11的高分辨电子显微像，重原子Tl和Ba的位置出现大黑点，金属原子列周围相对较明亮，特别是没有氧原子存在的空隙，即势最低的区域最明亮。与公式预测的一致。;厚试样的高分辨电子显微像 厚试样如厚度在5nm以上，弱相位体近似不适合了，必须考虑试样中多次散射引起的相位变化。试样中透射波、散射波和散射波之间的相互作用造成散射振幅的变化称为动力学衍射效应，此时有微分方程法、固有值法和多层法来进行物理光学处理。;多层法 将试样切成薄片层，考虑每一层对入射波的作用。一般薄片试样的厚度取与单胞长度对应的0.2~0.5nm，把各薄层中的作用分为由于物体的存在使相位发生变化和在这个厚度内波的传播两个过程。;第一薄层 首先第一薄层内物体对入射波的作用，看成是晶体上表面由式（1）的透射函数：;第二薄层 把?1(x,y)作为第二薄层的入射波，再按第一薄层的方法处理，即由于物体的存在， ?1(x,y)的相位发生变化，然后小角散射到第二薄层的下表面。在第二薄层下表面的散射振幅变为：;2、高分辨电子显微像的种类 （1）晶格条纹像 （2）一维结构像 （3）二维晶格条纹像（单胞尺度的像） （4）二维结构像（原子尺度的像，晶体结构像） （5）特殊的像;（1）晶格条纹像;（2）一维结构像;（3）二维晶格条纹像;（4）二维结构像;结构像的拍摄条件 试样足够薄——在参与成像的波与试样厚度保持比例关系激发的薄区。 8nm厚度内，所有波按比例激发，当达到10nm，比例关系破坏，波的相位急剧变化，形成与晶体结构不对应的像。; 拍摄限定在谢尔策聚焦附近。如图， ?氮化硅结构像只能在30nm~50nm范围内出现（谢尔策聚焦是45nm）。注意在-40nm~-20nm过焦条件下，衬度出现反转;（5）特殊的像 在后焦面的衍射花样上，插入光栏只选择特定的波成像，可观察到对应于特定结构信息衬度的像。例如有序结构中，使用让原子有序排