p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响刘石勇.ppt

p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响 ;;研究背景;p-nc-Si:H高电导(10-1~101 S/cm)，低光吸收，避免C导致缺陷态;nc-Si:H 薄膜的光学带隙变化趋势;三炉电池p层沉积的氢稀释比（RH）和衬底温度;RH=100, T= 70℃下制备p层膜的高分辨透射电镜（HRTEM）图像。右上角插图为相应的电子衍射图像。;三个nc-Si:H 薄膜的电学与光学特性;p层不同的三个电池的性能参数;三个电池的C-2-V关系曲线;三个电池对应的量子效率（QE）曲线;微晶硅电池能带示意图;p层为RH=100, T= 150 ℃下沉积的微晶硅电池的IV特性 ;结论：