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知识点名称
半导体器件物理(1)
第1章 pn结 知识点名称
1-3 理想pn结直流伏安特性
五、pn结单向导电性的物理解释
1. 平衡条件下pn结电流为0
(1) 物理过程分析
在平衡情况下，载流子
的扩散作用与漂移作用相平
衡，不存在载流子净流动，
净电流为零。
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-3 理想pn结直流伏安特性
五、pn结单向导电性的物理解释
1. 平衡条件下pn结电流为0
(2) 从能带图理解平衡条件下pn结电流为0
复习：能带图描述的n0和p0
半导体器件物理(I)
n型半导体 p型半导体
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
从pn结能带图理解平衡条件下电流为0 （以电子的流动为例）
单个p-Si和n-Si能带图上的n0 平衡pn结能带图上的n0
虽然n区导带电子浓度远高于p区，但是由于存在内建电势，使得n区中导带电
子能量并不比p区导带电子能量高, 因此不能形成电子净流动，电流就为0。
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
eV
1-3 理想pn结直流伏安特性 = [exp( a )-1]
I I
S
kT
五、pn结单向导电性的物理解释
2. 正偏pn结电流的解释
(1) 正偏电流形成过程的物理解释
p区向n区注入的空穴电流
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
正偏，V 0 ，结上电压（V -V ） V
a bi a bi
→势垒区电场↓
→漂移作用↓，而扩散作用不变
→出现p区多子空穴向n区的净扩散流
称为“注入（Injection ）”
→注入到n区的空穴首先在n区势垒区界处(x=x )积累，使得p (x )p
n n n n0
→ x=x 处积累的空穴继续向n区内部扩散运动形成从p区向n区的电流。
n
x= x 处空穴电流I (x )就是从p区注入到n区的少子空穴扩散电流
n p n
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