37第2章06_202BJT直流数学模型求解.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 四、数学模型求解-少子分布 1. 基区少子分布 2  n (x) n (x)-n 由方程： B2 - B 2 B0  0 x L nB eV ( =0) exp( BE ） n (x=x )=0 边界条件： n x n 和： B B B B0 kT 解得： (0 x  =x ) B 半导体器件物理(I 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 B 与斜直线相比，n (x)分布曲线稍微呈现下凹。 B B x=0处n (x)分布曲线的斜率略大于x=x 处的斜率。 从载流子输运角度考虑，x=0处nB(x)分布曲线的斜率对应 nE B nC B I (x=0), x=x 处的斜率对应I (x=x ) 。 由于基区复合，InC小于InE ，因此两处曲线斜率不相同。 L ，基区复合很小，因此n (x) 曲线只稍微下凹。 但是xB nB B 若xB B →0，基区复合可以忽略不计，则n (x) 曲线为斜直线。 半导体器件物理(I 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 对双曲正弦函数sinh(y)，若自变量y1 ，则sinh(y) ≈y 实际的BJT 中，x L ，n (x)表达式中的双曲正弦函 B nB B 数均可采用近似表达式 eV n eV n (x)[n exp( BE ）]-[ B0 exp( BE ）]x 得： B B0 kT x kT B 即： n (x) n (0)-[n (0)/x ]x B B B B 半导体器件物理(I 第2章 BJT直流放大特性