41第2章10_206缓变基区BJT电流放大系数.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 十. 缓变基区BJT的电流放大系数 3. 基区自建场对基区少子分布的影响 (1) 基区自建电场对基区少子电流的影响 基区自建电场对于注入到基区的电子起加速作用， 有利于电子通过基区到达集电区，减少在基区的复合， 提高电流放大系数。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 十. 缓变基区BJT的电流放大系数 3. 基区自建场对基区少子分布的影响 (2) 简便分析方法应用三：缓变基区少子分布的特点 均匀基区BJT，基区少子分布近似为斜直线。 由于缓变基区BJT中存在自建场，将使得基区少子 分布发生明显变化。 采用简便分析方法可以说明缓变基区BJT中基区少 子分布的特点，进而说明对电流放大系数的影响。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 由于基区自建场的存在，少子电流除扩散电流InB(扩)外还存在漂移电流InB(漂) 。 虽然基区少子电流InB为常数，但是这两个电流分量不会是常数，而是与位 置有关，记为InB(扩)(x)和InB(漂) (x) 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 在基区，X=0处少子电子浓度n (0)=n exp(eV /KT) B B0 BE x=x 处少子电子浓度下降为n (x )=0 B B B 因此随着x增大，少子漂移电流分量不断减小 在x=x 处，减小到I (x )=0 。 B nB(漂) B 由于基区少子电流InB为常数，因此随着x增大，少子扩散电流分量不断增大 在x=x 处，I (x )=I 。 B nB(扩) B nB 结论：随着x增大，基区少子浓度不断减少，而少子浓度梯度不断增大。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 缓变基区BJT中基区少子分布特点：随着x增大，基区 少子浓度不断减少，而少子浓度梯度不断增大。 例如：若基区杂质为指数分布 N (x)=N (0exp) [( /x )x] B B B 参数η描述了杂质分布的陡峭程度。 参数η越大，杂质分布越陡峭，基区自建场越强。 若参数η=0，对应均匀掺杂基区，基区自建场为0，基 区少子分布为斜直线。 对应参数η取不同值的基区少子分布的分析结果表明， 参数η越大，由于基区自建场越强，上述特点越明显。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想