39第2章08_204BJT电流放大系数简化分析.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 九. 电流放大系数简便解析分析方法 简便分析的思路和方法在多处得到应用，物理含义更加清晰。 1. 需要采用的基本结论（复习） (1) 基区宽度x L ，基区少子电子分布基本为斜直线 B nb 基区的少子电流基本为常数 E区xELpE ，发射区少子空穴分布也基本为斜直线 (2) 势垒区边界少子浓度与势垒区上电压V 的关系为： a 平衡少子浓度×exp(eVa/kT) 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 九. 电流放大系数简便解析分析方法 1. 需要采用的基本结论（复习） (3) （基区）少子扩散电流正比于少子分布的斜率 (4) （基区）少子漂移电流正比于少子浓度 (5) 基区少子复合电流正比于基区少子总数 n (x)-n n (x) e J =e B B0 dx  e B dx = n (x)dx RB x x x B B  B   B B B B 基区少子总数就是少子分布曲线下方的三角形面积。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 九. 电流放大系数简便解析分析方法 2. 简便分析方法应用一：基区输运系数的简化分析 1 xB 2 采用简便方法推导基区输运系数表达式   1- （ ) T0 2 L nB JnC J - J J 由   = nE RB =1- RB T0 JnE JnE JnE 需要求解基区x=0处少子电流JnE 以及基区少子复合电流JRB 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 由于x L ，基区少子