40第2章09_205缓变基区BJT的基区自建电场.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 十. 缓变基区BJT的电流放大系数 1. 缓变基区BJT的基区自建场 (1) 平面工艺BJT的基区杂质分布特点 平面工艺BJT中基区是通过两次扩散或者离子 注入工艺形成的，基区杂质为非均匀掺杂。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 十. 缓变基区BJT的电流放大系数 1. 缓变基区BJT的基区自建场 (2) 基区自建电场的形成过程 基区掺杂NB(x)不均匀→基区平衡多子分布pB0(x)不均匀 B0 B →空穴从x=0沿x方向扩散→基区x=0 附近p (x)小于N (x) →x=0 附近出现未被中和的带负电荷的离化受主杂质 →使得空穴向x=0方向漂移 →产生电场E （称为自建场） 扩散和漂移作用达到平衡时，基区形成稳定的自建场。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 十. 缓变基区BJT的电流放大系数 1. 缓变基区BJT的基区自建场 (3) 自建电场与基区杂质分布的关系 基区扩散和漂移作用平衡时，空穴电流为0： dp (x) J =[-eD B0 ]e p (xE) (x)=0 P p dx p B0 Dp 1 dp (x) kT 1 dp (x) 解得： E(x)= B0 = B0 ( )  p x dx e p x dx p B0 B0( ) kT 1 dN (x) 取：p (x)N (x) 得：E(x)= B B0 B e N x dx B ( ) 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 对自建电场与基区杂质分布关系的解读 kT 1 dN (x) E(x)= B e N (x) dx