晶体结构缺陷部分习题讲解.pdf

课程名称：材料科学基础 主讲内容：晶体结构缺陷部分习题讲解 如何计算热缺陷浓度？ 如何判断热缺陷与杂质缺陷何者占优势？ 如何判断所生成固溶体为填隙型还是置换型？ 例1：（a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计 算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度；（b ）如果MgO晶体 中，含有百万分之一的Al O 杂质，则在1600℃时，MgO 2 3 晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？试通过计算 说明。 n E （a ）解：根据热缺陷浓度公式： exp( ) N 2kT 由题意：E=6eV=6×1.602×10-19=9.612×10-19J T =25+273=298K, T =1600+273=1873K 1 2 n 9.612 1019 51 298K ：N exp(2 1.38 1023 298) 1.7610 n 9.612 1019 9 exp( 23 ) 8 10 1873K：N 2 1.38 10 1873 （b ）在MgO 晶体中加入百万分之一的Al O ，缺陷反应方程如下： 2 3 MgO  Al O 2Al V 3O 2 3 M g Mg O 此时产生的缺陷为[V 〞]杂质 Mg 而[Al O ]= [V 〞]杂质=10-6 2 3 Mg 由（a ）计算在1873K 时，[V〞 ] =8×10-9 Mg 热 所以[V 〞]杂质＞[V〞 ]热，即在1873K 时，在MgO 晶体中，杂质缺陷 Mg Mg 占优势。 解题 在计算热缺陷浓度时，注意以下几点： 关键： ①将温度换算为开尔文温度； ②将缺陷生成能单位由电子伏特（eV ）换算为焦耳（J ） 在比较缺陷占优时，注意以下几点： ①正确书写出相应缺陷反应方程； ②根据题目所给条件，求出杂质缺陷浓度大小， 然后比较热缺陷与杂质缺陷浓度大小 注意！ 一定比较相同类型的缺陷！ 如何判断所生成固溶体为填隙型还是置换型？ 例2 ： CeO2 为萤石结构，其中加入15mol%CaO 形成固溶 3 体，测得固溶体密度d ＝7.01g/cm ，晶胞参数a ＝ 0.5417nm，试通过计算判断生成的是哪一种类型固溶 体。已知原子量Ce 140.12，Ca 40.08，O 16.00。 解：对于 CaO-CeO2 固溶体来说，从满足电中性来看，可以形 成氧离子空位的固溶体也可形成 Ca2+嵌入阴离子间隙中的固溶 体，其固溶方程为： CeO