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毕业论文 基于 ADS 的低噪声放大器设计与仿真 需要仿真源文件，请在空间留言 一、设计的背景和目的 1.1 低噪声放大器 在无线通信系统中，为了提高接受信号的灵敏度，一般在接收机前端放置低 噪声放大器用来提高增益并降低系统的噪声系数。 1.1.1 概念 低噪声放大器是噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频 或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的 场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以 提高输出的信噪比。由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数 F 来表 示。理想放大器的噪声系数 F ＝1 （0 分贝） ，其物理意义是输出信噪比等于输 入信噪比。现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放 大器则采用变容二极管参量放大器 ，常温 参放的 噪声 温度 Te 可低于几十 度(绝对温度) ，致冷参量放大器可达 20K 以下，砷化镓场效应晶体管低噪声微 波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于 2 分贝。放大器的噪声系数还 与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。在工作频率和信源内阻均给定的情况下， 噪声系数也和晶体管直流工作点有关。为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用 共发射极一共基极级联的低噪声放大电路。 1.1.2 主要功能 随着通讯工业的飞速发展，人们对各种无线通讯工具的要求也越来越高，功 率辐射小、作用距离远、覆盖范围大已成为各运营商乃至无线通讯设备制造商的 普遍追求，这就对系统的接收灵敏度提出了更高的要求，我们知道，系统接收灵 敏度的计算公式如下： S=-174+ NF+10㏒BW+S/N 由上式可见，在各种特定（带宽、解调S/N 已定）的无线通讯系统中，能有 效提高灵敏度的关键因素就是降低接收机的噪声系数 NF ，而决定接收机的噪声 系数的关键部件就是处于接收机最前端的低噪声放大器。低噪声放大器的主要作 用是放大天线从空中接收到的微弱信号，降低噪声干扰，以供系统解调出所需的 信息数据，所以低噪声放大器的设计对整个接收机来说是至关重要的。 1.1.3 主要应用领域 低噪声放大器可以使接收机接受的的微弱信号放大，并降低噪声的干扰，无 失真的将信号放大传给下一级电路，是通信系统中重要的前端必备电路，因此低 噪声放大器广泛应用于微波通信、GPS 接收机、遥感遥控、雷达、电子对抗及各 种高精度测量系统等领域中，是现代 IC 技术发展中必不可少的重要电路。 1.2 低噪声放大器的研究现状 随着半导体器件的发展，低噪声放大器的性能不断提高，采用 PHEMT 场 效应晶体管的低噪声放大器的在 800MHz 频段噪声系数可达到 0.4dB,增益约 17dB 左右，1900MHz 频段噪声系数可达到 0.6 增益为 15dB 左右。 微波晶体管是较晚开发的三电极半导体器件, 由于其性能优越.迅速获得了广 泛应用.并不断地向高频率、大功率、集成化推进.基本作用是放大器，已基本上 取代了参放.部分地代替行数.在其它电路中也可使用,如:混频器,倍频器,振荡器,开 关等. 目前,广泛应用及有前景的元件主要有以下五种. ◢BJT 双极结晶体管是普通三极管向射频与微波频段的发展。使用最多的等 效电路模型是 Gummel-Poon 模型，之后出现了 VBIC 模型，MEXTRAM 模型和 Philips 模型。VBIC 模型是 Gummel-Poon 模型的发展伸；MEXTRAM 模型零极 点少，故比 Philips 模型收敛快。 ◢MOSFET 金属氧化物场效应管在 2.5GHZ 以下频段应用的越来越多。 双 扩散金属氧化物半导体DMOS 是CMOS 晶体管向高频的发展,侧面双扩散金属氧 化物半导体 LDMOS 器件是大功率微波放大器件。SPICE 给出了双极型 CMOS 的非线性模型Bi-CMOS, Bi-CMOS 模型包括了同一硅片上的BJTs ,N 型MOSFET 和 P 型 MOSFET.模型。 ◢MESFET 金属半导体场效应管是在GaAs 基片上上同时实现肖