LDMOS的可靠性研究教程.ppt

（ 1 ） Kirk 效应 ? 当电流密度超过漂移区杂质浓度后 , 电场峰值 转移到近漏端 , 等位线在漏极方向非常密集， 漏端电场强度大幅增加的现象，称为 Kirk 效 应。 ? 解决方法：在漏端加一个漏缓冲区 , 这个缓冲 区的掺杂浓度介于漂移区掺杂浓度和漏区掺 杂浓度之间。通过这种方法 , 可以在漂移区获 得较为均匀的电场 , 可有效缓解高电场带来的 可靠性问题。 （ 2 ）寄生三极管效应 ? LDMOS 在高压工作下，内部发生碰撞电离 产生过剩载流子 , 这些过剩载流子在体区 — 源 区间产生正向压降。当此压降达到寄生三极 管的导通电压时 , 三极管导通 , 于是在沟道下 方出现一条电流通路 , 使工作电流迅速上升 , 并使栅压控制失效 ,LDMOS 发生负阻击穿 , 器 件失效，这种现象称为寄生三极管效应。 ? 解决方法：一是降低碰撞电离产生的电流即 降低衬底电流；二是降低 P 阱的电阻。 （ 3 ）自加热效应 ? 高压功率 LDMOS 正常工作时，器件有源区 将会产生大量的热量，导致温度上升，这种 现象称为自加热效应。 ? 栅压的增加会导致 LDMOS 的体内温度迅速 提高，甚至产生高能载流子与晶格碰撞，产 生二次电子空穴对，导致 LDMOS 发生负阻 击穿，使得 LDMOS 的击穿电压大大降低。 3.2 、 LDMOS 的长期 SOA ? 随着电场强度的增强 , 在沟道或漂移区的载 流子会获得巨大的动能克服表面势垒隧穿 到 LDMOS 的栅氧化层或场氧化层中 , 影响电 荷分布 , 进而影响器件的性能。这是导致长 期工作的器件失效的主要机理 , 即由它决定 LDMOS 长期 SOA 的边界。 ? 温度的变化对 LDMOS 中载流子的迁移率、 亚阈值电流、漏源电流、泄漏电流等参数 是有影响的。对 LDMOS 的特性在不同温度 下的模拟和分析是精确估计性能的关键。 二、 LDMOS 温度特性的研究 1 、阈值电压温度系数的研究 ? 阈值电压随温度变化是由于表面势随温度 变化引起的。研究表明表面势是温度的线 性函数。 ? 阈值电压为： ? 式中： ? 通过分析高压 LDMOS 阈值电压温度系数以 及高压 LDMOS 阈值电压温度系数的特性， 结果说明，薄的栅氧化层厚度和高的衬底 掺杂浓度才能得到小的阈值电压温度系数。 2 、迁移率的温度特性 ? 硅器件的迁移率模型受到声学波和电离杂 质散射的影响： ? 式中 s 和 i 代表了声学波和杂质电离散射 的影响。 ? 在掺杂不高的器件中，迁移率随着温度的 升高迅速减小。 ? ? 3 、饱和电流的温度特性 ? LDMOS 的开态电流较大，自加热效应明显， 饱和电流是器件开态下的一个重要电学参 数。由于 LOMOS 器件沟道一般比较长 , 所以 饱和电流是由于沟道夹断形成的 , 而不是由 于电子速度饱和而形成的。 ? 通过分析可以得到如下两点结论： （ 1 ）饱和电流的温度系数不是一个固定 的常量 , 是栅压的函数。当 Vgs 增大时 ,Ids 的 温度系数从正值变化到负值。 （ 2 ）饱和电流基本上是随着温度的增加 而下降的。 4 、泄漏电流的温度特性（扩散电流） ? 在反向偏压的情况下，可以得到一个扩散 电流，这就是通常定义的泄漏电流。泄漏 电流主要是由于 PN 结的反向漏电引起的。 ? 实际加反向偏压的时候 , 势垒区内的电场加 强 , 在势垒区内由于热激发的作用 , 具有净产 生率 , 形成一个产生电流。 （ 1 ）泄漏电流的组成 ? 反向泄漏电流主要是扩散电流和热产生电 流，分别是上式右边的两项。 （ 2 ）计算和模拟之后得到结论如下： ? 温度较低时，热产生电流是主要因素；温 度较高时，扩散电流是主要因素。 ? 随着温度的增加，泄漏电流呈指数增加。 ? 由于泄漏电流主要来源于 n- 漂移区 /p 型衬底 结的泄漏电流 , 只要适当降低该结的结面积 , 就可以有效降低结泄漏电流 , 并提高 LDMOS 的温度特性。 5 、导通电阻的温度特性 ? 导通电阻的 LDMOS 的一个重要参数，其大 小与 LDMOS 的最大输出功率密切相关。 ? 导通电阻和温度的关系表达式为： 式中 Ron （ T ）为本征电阻， Rch （ T ）为沟 道电阻 ? 温度较低时，泄漏电流为 0 ，则 其值随温度的增加呈 的关系。 ? 温度较高时，泄漏电流主要是 pn 结的反向 电流，其值较大，不能忽略。 ? 沟道电阻也随着温度的增加而增加，且线 性区的 Vds 又很小，所以 较大 ， 这时，导通电阻随着温度增加的速率将低 于本征电阻随着温度增加的速率。 ? T ） （ ） （ T R T R R on on ? DS R V T R T I ） （ ） （ ch 6 、击穿电压的温度特性 ?