电场调控锗烷中的分子掺杂.pdfVIP

摘 要 锗烷，一种新型二维半导体材料，因其优异的物理化学性能受到了广泛的 关注，尤其是在电子与光电子器件的设计与应用领域，如场效应管与p-n结。为 了提高载流子浓度，降低界面的肖特基势垒与复现器件的电子特性，在锗烷中 实现安全有效的掺杂具有十分重要的意义。本论文应用基于密度泛函理论的第 一性原理计算方法，通过在锗烷表面吸附电子给体四硫富瓦烯分子 （tetrathiafulvalene，TTF）和电子受体四氢氰基苯 （tetrahydrocyanobenzene， TCNB n p ）分子，在锗烷中实现了安全有效的 型和 型分子掺杂。 研究结果发现，锗烷与TTF分子之间仅存在较弱的物理吸附作用。TTF分子 TTF 吸附后，锗烷的结构与电子特性未发生明显变化，但 分子可在锗烷的能带结 构中引入有效的施主能级，使吸附体系出现典型的n型掺杂效应，电子激发所需 0.472eV -0.3V/Å 0.3V/Å 的能量为 。更为重要的是，对其施加 至 的外电场时，这种 n型分子掺杂的强度还可受外电场线性的调控，而锗烷本身的电子结构几乎不受 影响。当外电场为-0.3V/Å时，体系中电子从最高占据态激发到非占据态所需要 的能量仅为0.085eV。除此之外，TTF分子与锗烷衬底间的电荷转移也能受外电 0.15V/Å TTF 场有效的调控。特别是当外加电场强度超过 时， 分子甚至从锗烷衬 底得到电子，变为了电子受体。而对于TCNB分子而言，当其吸附于锗烷表面 p 0.173eV 时，可实现锗烷中有效的 型掺杂效应，其电子激发所需的能量为 。而这 种p型掺杂效应同样可受外电场线性的调控。为进一步解释上述调控作用，通过 等效电容器模型和体系能级变化 揭示了掺杂效应与电荷转移受外电场调控的机, 制。 值得注意的是，这种通过锗烷表面非共价吸附分子实现的掺杂效应不会影 响锗烷的结构与电子特性，不失为一种安全有效的掺杂方式，且掺杂效应还可 受外电场的线性调控，这对于后续相关实验的开展具有一定的理论指导意义。 n/p 关键词： 锗烷；分子吸附； 型掺杂；电场；电荷转移 I Abstract Germanane,anew two-dimensional （2D）semiconductor material,hasreceived great attention due to its novel electronic properties for applications of electronic and optoelectronicdevices,such asfield-effecttransistorsandp-njunctions.Toincreasethe carrier concentration for reducing the Schottky barrier at the interface between metal and semiconductor or reproducing the electronic characteristics of the device, it is of great significance to achieve a safe and effective doping in germanane. In this thesis, the adsorption behaviors of tetrathiafulva