p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响(刘石勇).pptVIP

p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响 刘石勇,曾湘波,彭文博, 姚文杰,谢小兵,王超,王占国 中国科学院半导体研究所 nc-Si:H 薄膜的光学带隙变化趋势 P层单层膜微结构 加ZnO/Ag背反电极的微晶硅电池效率 * * 研究背景 01 实验方案 02 结果与讨论 03 结论 04 提纲： 研究背景 1 2 3 相对于常用作p层材料的非晶硅碳（a-SiC:H），nc-Si:H具有低的光吸收系数以及高导电性[1]。 A.M. Al[2]报道了不同氢稀释比（RH）下制备的nc-Si:H膜具有不同的晶粒大小。 Chen等人[3]研究发现nc-Si:H膜中晶相比随温度增加而增加。晶相比增加将促进大晶粒的形成。 我们实验室[4]在高RH、高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出宽带隙的nc-Si:H薄膜 。 p-nc-Si:H高电导(10-1~101 S/cm)，低光吸收，避免C导致缺陷态 相对于p-a-SiC:H， p-nc-Si:H作窗口层的优点： Optical absorption of a p-μc-Si : H layer (solid line) compared to a wide band gap p-a-SiC:H layer (dashed line)【 Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 53 (1998) 45】. Dark conductivity, activation energy and preexponential factor as a function of dopant concentration for a-SiC:H films deposited with different CH4 flow rates, boron and phosphorus implanted.【 Thin Solid Films.265(1995)113 】. 高电导 低光吸收 nc-Si:H薄膜中晶粒尺寸随氢稀释比增加而降低 Thin Solid Films, 437 (2003) 68-73 Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 92 (2008) 1217-1223 改变氢稀释比来改变带隙 根据量子限制效应，光学带隙随晶粒尺寸增大而减小 三炉电池p层沉积的氢稀释比（RH）和衬底温度 No.3 70 100 Cell.3 No.2 150 100 Cell.2 No.1 150 33.3 Cell.1 对应p层膜标记 衬底温度（℃） 氢稀释比 RH 样品号 实验： 实验 P层 单层膜 电导 激活能 Raman HRTEM 透射谱 不同p层微晶硅电池 I-V QE 暗IV C-V RH=100, T= 70℃下制备p层膜的高分辨透射电镜（HRTEM）图像。右上角插图为相应的电子衍射图像。 RH=100, T= 70℃下制备p层膜的拉曼谱 三个nc-Si:H 薄膜的电学与光学特性 1.99 0.024 5.7 No.3 1.88 0.020 5.6 No.2 1.80 0.021 3.0 No.1 光学带隙 (eV) 激活能 (eV) 暗电导 (S/cm) 样品号 P层单层膜光电特性 p层不同的三个电池的性能参数 4.79 16.45 0.438 Cell.3 5.02 17.78 0.466 Cell.2 4.42 14.29 0.461 Cell.1 Eff (%) Jsc (mA/cm2) Voc (V) 样品号 p层不同的三个电池的性能参数 三个电池的C-2-V关系曲线 电池的C-V特性： 三个电池对应的量子效率（QE）曲线 电池的量子效率特性： 微晶硅电池能带示意图 电池的内建电势 1.92 Cell.3 1.81 Cell.2 1.73 Cell.1 Vbi（V） 样品号 微晶硅电池能带图 p层为RH=100, T= 150 ℃下沉积的微晶硅电池的IV特性 结论： 1 2 3 氢稀释比越高，沉积温度越低，p层nc-Si:H光学带隙越大。 宽的P层带隙提高电池的内建电势，有利于改进Voc；但p层带隙过大将增大i/p界面处的能带失配，导致较大的缺陷态密度，这将影响内建场的分布，从而降低Jsc，同时高缺陷态也将限制Voc。因而适中的p层带隙将兼顾Voc、Jsc，有利于提高电池的性能。 我们在RH=100, T= 150 ℃条件下制备的薄膜具有良好的导电性、适中的光学带隙。将之作为nip微晶硅电池中的p层材料，制备的电池具有较好的性能。 * * * 研究p层nc-Si:H薄膜光学带隙对微晶硅电池的影响。 实验表明氢稀释比越高，沉积温度越低， p层nc-Si:H光学带隙越大。 将不同光学带隙的nc-Si:H