电子科大薄膜物理赵晓辉第二章蒸发.pptVIP

第二章 Evaporation/蒸发;主要内容;PVD的特点;;Evaporation;§2-1 Principle of Evaporation ;二、过程概述;2. 输运－Transport to substrate 直线沉积 避免气体分子的碰撞 较长的平均自由程 良好的真空 let h = source to substrate distance （靶基距） for h of 10 - 100 cm, want P 10-5 torr bigger h = lower P 残余气体无法避免! ;3. 沉积－Deposition onto substrate Gas Atoms to Solid 吸附 凝结 成核 生长 形成薄膜 首先考虑薄膜的厚度和纯度！然后考虑结构和性能。;三、饱和蒸汽压－Pvap;水蒸汽压力随温度的变化;饱??蒸气压的理论推导 ; Hv：视为常数，积分得 ;得到： lnPv与1/T近似为直线！ Pv－T的近似关系式，应用范围：蒸气压小于1Torr。 由此可以合理地选择蒸发材料及确定蒸发条件。 ;四、蒸发速率 －Evaporation rate;动力学理论描述蒸发速率 where Pvap = vapor pressure (Torr) M = molecular weight cm2 = area o