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微电子工艺 第3章外延 (Epitaxy) ●●● ●●●●● ●●●● ●●●●● 丽 ●●●● ●●●●  ●●● ●●@ 第3章外延 ●●0● ● 0●0 3.1概述 32气相外延 3.3分子束外延 3.4其它外延 3.5外延层缺陷及检测  3.1概述 ●●● ●●@ ●@0●0 3.1.1外延概念 ● 0●0 ·在微电子工艺中,外延( epitaxy)是指在单晶 衬底上,用物理的或化学的方法,按衬底晶 向排列(生长)单晶膜的工艺过程。 新排列的晶体称为外延层,有外延层的硅片 称为(硅)外延片。 与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温 度低于熔点许多 外延是在晶体上生长晶体,生长出的晶体的 晶向与衬底晶向相同,掺杂类型、电阻率可 不后。n/nt,m/p,GaAs/Si  ●●● ●●@ ●@0●0 3.1.2外延工艺种类 ● 0●0 按材料划分:同质外延和异质外延 按工艺方法划分:气相外PB 气相外延工艺成熟,可很好 ●按温度剝分 的控制臏厚度,杂质浓度 (1000℃以下 和晶格的完性,在硅工艺 生长外延层 中一直占主导地位 ●块电阻率高低分 恶高阻层 反外延一高阻利底上外延低阻层 按外延层结构分类:普通外)选择外延,多层外延 其它划分方法∶按结构划分换外延层厚