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半导体物理_刘恩科_教材版本 运用上述理论分析实验结果： 1)B沿[111]方向，六个方向的夹角余弦只有一个相同值，有效质量 只有一个取值； 2) B沿[110]方向，六个方向的夹角余弦有二个值0和1/2。有效质量有2个值； 3) B沿[100]方向，六个方向的夹角余弦有二个值0和1。有效质量有2个值； 4)任意方向，六个方向的夹角余弦有三个值，有效质量有3个值。 硅的三维等能面见图24a，锗和硅的晶格常数不同，三维等能面也不同。在111方向的简约布里渊区的八个面上，见图24a。 作业 P33：习题3 和 4。 半导体物理_刘恩科_教材版本 半导体偏离理想的情况： 2)含杂质，不纯净 1)在平衡位置附近振动，不静止在格点上 3)存在缺陷(点、线、面) 主要讨论杂质和缺陷： 杂质的影响：105个硅原子中有一个杂质硼原子，室温电导率增加103个数量级。 缺陷的影响：硅平面器件要求位错密度控制在103cm2以下。 原因1.破坏了周期性势场； 2.在禁带中引入了杂质能级。 半导体物理_刘恩科_教材版本 国防工业出版社 半导体物理_刘恩科_教材版本 1. 《半导体物理学》作者: 李名復??页数:376??科学出版社，出版日期:1991年2月第1版?(凝聚态物理学丛书). 2.《半导体物理学》作者:果玉忱??页数:271??国防工业出版社，出版日期:1988年12月第1版??