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上图(a)的信号流图如上图(b)所示。由信号流图可得该电路的转移函数为: 由上式可见,图示电路是一个开关电流同相积分器。由于它有多个输出端,因此称为开关电流多输出端同相积分器。 2 开关电流反相积分器 如果将输入电流从场效应管M2和M3的漏极输入,则可以实现反相积分器。多输出端开关电流反相积分器如下图(a)所示。该电路的信号流图如下图(b)所示。 Iin Ion Iin Ao1 Ao2 Aon M1 M2 S1(φ1) Io1 M3 Mo1 S2(φ2) Mon M4 IB IB IB IB Ao1IB AonIB J Io1 Io2 Ion (b) (a) 开关电流多输出端反相积分器 由信号流图可得该电路的转移函数为: 由上式可见,上图所示的电路是一个开关电流多输出端反相积分器。 从无源滤波器到开关电流滤波器 开关电容滤波器: 在MOS电路中用开关和电容取代电阻 不仅克服了有源RC滤波器不便直接集成的主要缺点,同时还具有MOS电路的许多优点。 主要缺点: 一、需要线性电容,标准的数字CMOS工艺很难实现,增加成本。 二、属于电压模式电路,当电源电压降低时,输出信号的动态范围会减小。 从无源滤波器到开关电流滤波器 开关电流滤波器: 依靠MOS管自身的电容而不是外部电容实现信号的存储,通过开关和电流镜而不是电容对输入信号进行处理和运算,并以电流而不是电压的形式将信号输出。 除了具有开关电容网络的优点外,最大优点就是可以用标准的数字CMOS工艺而不是MOS工艺进行生产,而且同样功能的开关电流电路所需的芯片面积比开关电容电路更小,成本更低。 四个优点(与开关电容技术相比): 一、不需要线性电容。 利用MOS场效应管的栅源之间的非线性电容存储信息,就能够完成精确的模拟采样数据信号的处理功能。 从无源滤波器到开关电流滤波器 二、电路简单,功耗低,速度快。开关电流技术不需要MOS运算放大器,主要采用电流镜来处理信号,因而电路比较简单。在开关电流电路中使用的电容器的容量一般很小,运算速度很快,工作频率高。 三、动态范围宽,受电源电压的影响小。开关电流电路属于电流模式的电路,和电压模式的电路相比,其动态范围很宽,工作频率高,受电源电压的影响小。 四、容易设计实现。开关电容电路的许多设计方法和设计技术都可以直接应用到开关电流电路的设计中来。 存储电路 延迟电路 积分器电路 开关电流滤波器的基本单元电路 6.9.1 开关电流存储电路 6.9.1 开关电流存储电路 将信息以电荷的形式存储在MOS场效应管的栅源之间的非线性电容中。 Iin Iout IB M1 M2 Cgs1 Cgs2 S1(φ) IB 开关电流存储电路 左图中的基本电路是一个电流镜,所不同的是在电流镜的场效应管M1和M2的两个栅极之间多了一个作为开关的场效应管S1。S1的尺寸要比M1和M2小得多。 MOS管结构与几何参数 沟道长度L: 其沟道长度定义为漏源之间栅的尺寸,一般其最小尺寸即为制造工艺中所给的特征尺寸; 沟道宽度W:垂直于沟道长度方向的栅的尺寸。 MOS晶体管的输出电流-电压特性的经典描述是萨氏方程。 NMOS管饱和导通时的萨氏方程为: L:指沟道的有效长度 W/L称为宽长比 ID的值取决于工艺参数:μn、Cox、器件尺寸W和L、VDS及VGS。 工作过程: 当开关管S1截止时,输入电流Iin和偏置电流IB使M1管的栅极电容Cgs1充电至M1管的栅源电压Vgs1。 当开关管S1导通时,M1和M2的栅极接通,电路变成了一个电流镜。存储在两个管子栅极电容Cgs1和Cgs2中的电荷按照管子的栅极电容的大小重新被分配。由于管子的栅极电容的大小与管子的宽长比成正比,于是将电流(Iin+IB)按照管子的宽长比进行分配。设场效应管M1和M2的宽长比分别为(W1/L1)=A1和(W2/L2)=A2。则流入M2的漏极电流为 (Iin+IB)A2/A1,存储单元的输出电流为: 当M1和M2的相等时: Iout=-Iin。 当开关管S1截止时,场效应管M1和M2断开,存储在M2管栅极电容Cgs2中的电荷保持不变。因此,同样的漏极电流流入M2,使Iout在S1截止期间保持为常数。 上述过程是利用MOS场效应管的栅源之间的非线性寄生电容完成的。在这个过程中,场效应管栅源之间的电容仅仅起到了一个存储电荷的作用,并不需要将电荷进行线性分配。因此,这样的电容可以
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