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单晶硅太阳能电池片基础知识培训 单晶与多品的差异 1、外观差异 晶电池片 多晶电池片 2、单晶的规格 单晶125:尺寸:125mmx125mm+0.5mm 对角线:165mm+1mm 单晶156:尺寸:156mmx156mm±0.5mm 对角线:200mm±1mm 厚度:180-200um+20mm 单晶硅电池片生产流程 制绒 清洗干燥 扩散 Texturing Rinse D Diffusion PECVD 去磷硅玻璃(干 等离子刻蚀8 刻) Remove psg 湿法刻蚀 chanced dge isolation 印刷 烧结I 测试分档 Pril Testsort 制绒 Texturing 1、制绒原理:利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶向上具有 不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性,在硅片表面腐蚀形成 角锥体密布的表面形貌,以减少硅片表面的反射率。 反应式为:S+2NaOH+H2O→Na2Si02+2H2↑ 2、制绒流程 装片 粗抛 去除表面损伤) 制绒 形成绒面) 喷淋 制绒机 次水洗 次水洗 清洗干燥 3、微观绒面图像 原材料硅 片 粗抛后 6210912kv氵i:函自u 绒面 4、异常现象 1)出现雨点状的斑点,只要加入少量乙醇或异丙醇即可消除 2)砝片上端部分光亮,表明液位不够或溶液粘稠度过大,使篮框漂浮起 3)硅片表面有流水印,说明溶液内硅酸钠过量,适当加大NaOH的用量; 有可能喷淋效果不理想。 4)硅片局部或全部发白,说明硅片局部反应不均匀或表面反应受到抑制, 可通过延长反应时间、提高溶液浓度等方法缓解, 5)硅片表面残留硅酸钠,观察清冼效果,提高水洗温度或提高水洗流量。 6)花篮印:一般为硅片与花篮接触阻碍硅片反应的速率,可以通过提过 药液浓度、延长反应时间或清洗花篮等措施进行缓解。 5、腐蚀深度计算 腐蚀深度计算公式如下:(eg:M156) Etch depth=([W(before)-W(after)]*10000g.cm 3)/(2.33g24336cm 2*2) 即:腐蚀深度=(腐蚀前质量腐蚀后质量)*腐蚀系数 请简单计算单晶156的腐蚀系数是多少?单晶156面积:238.95m^2 希屘干 Rinsedry 1、清洗目的:将硅片表面残留的金属离子、残留灰尘、氧 化物等去除,保证扩散前硅片表面的洁净度 2、清洗用到的酸:HF、HCL *3、甩千注意事项 甩干机开关门,要按照指示灯来操作,不允许提前操作,以免造成安全事故 甩干机进行甩干时,硅片要对称放置 甩干机开盖时,要等到转动停止后在取片