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Semiconductor lasers 半导体激光器原理与制造 Semiconductor laser diode PrincipleFabrication  Semiconductor lasers 主要内容 1.半导体物理基础知识 2.半导体激光器工作原理 3.工作特性及参数 4.结构及制造工艺 5面发射激光器  Semiconductor lasers 半导体物理基础知识 1.能带理论 2.直接带隙和间接带隙半导体 3.能带中电子和空穴的分布 4.量子跃迁 5.半导体异质结 6.半导体激光器的材料选择  Semiconductor lasers 能带理论:晶体中原子能级分裂 晶体中的电子作共有化 运动,所以电子不再属 Electronic band structure 于某一个原子,而是属 于整个晶体共有 allowed energy band 晶体中原子间相互作用, 导致能级分裂,由于原 子数目巨大,所以分裂 的能级非常密集,认为 orbidden energy gap 是准连续的,即形成能F 带 电子总是先填充低能级, 0K时,价带中填满了电 ated atoms N atoms in a 子,而导带中没有电子 crystalline solid  Semiconductor lasers