我国石墨烯产业发展概况及展望.docxVIP

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  • 2020-08-29 发布于湖北
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关 注FOCUS我国石墨烯产业发展概况及展望■ 中国石墨烯产业技术创新联盟石墨烯是一种由碳原子紧密堆 积构成的二维晶体,也就是只有一个 碳原子厚度的单层石墨薄 片(图 1) 关 注 FOCUS 我国石墨烯产业 发展概况及展望 ■ 中国石墨烯产业技术创新联盟 石墨烯是一种由碳原子紧密堆 积构成的二维晶体,也就是只有一个 碳原子厚度的单层石墨薄 片(图 1)。 由于其特殊的结构,它成为到目前为 止人类已知的强度最高、韧性最好、 质量最轻、透光率最高、导电性最佳 的材料。也正因为如此,各国科技界 和产业界均不遗余力地推动石墨烯 在电子信息、新能源、照明、生物医用 等各个领域的实际应用。 一、石墨烯结构及特性 在微观结构上,石墨烯是一种由 碳原子以s p2杂化轨道组成的六角形 图 1 石墨烯 12 Advanced Materials Industry FOCUS呈蜂巢晶格的平面薄膜结构,而在原子尺度上其结构十分特殊,只能用相 对论量子力学才能描绘。由于结构上 的特殊性,使得石墨烯拥有了其它材 料所不具备的特殊性能,主要体现在 以下几个方面 :①超强导电性 :由于石墨烯拥 FOCUS 呈蜂巢晶格的平面薄膜结构,而在原 子尺度上其结构十分特殊,只能用相 对论量子力学才能描绘。由于结构上 的特殊性,使得石墨烯拥有了其它材 料所不具备的特殊性能,主要体现在 以下几个方面 : ①超强导电性 :由于石墨烯拥有 完美的“二维”平面晶格结构,因此电 子在晶格中移动时,不会因为晶格缺 陷或引入外来原子而发生散射。另外, 由于石墨烯中碳原子之间作用力很 强,使得运动中的电子受到的干扰极 小,即使在周围碳原子发生碰撞时也 是如此,因此电子具有非常快的运动 速 度(能够达到光速的 1/300),远远 超过了电子在其他金属导体或半导体 中的运动速度,正因如此,石墨烯拥有 超强的导电性能。 ②超高强度 :石墨烯的硬度高于 金刚石,是目前为止人类已知的硬度 最高的物质。由于高的硬度,石墨烯拥 有很高的强度,其强度比世界上最好 的钢铁还要高上 100倍。而同时它又 拥有很好的韧性,且可以弯曲。 ③导热性能 :石墨烯的导热性能优 于碳纳米管。普通碳纳米管的导热系数可 达3500W/m·K,各种金属中导热系数相 对较高的有银、铜、金、铝,而单层石墨烯 的导热系数可达5300W / m·K。优异的 导热性能使得石墨烯有望作为未来超 大规模纳米集成电路的散热材料。 ④超大比表面积 :由于单层石墨 烯只有一个碳原子厚(0.335n m),所 以石墨烯拥有超大的比表面积。在理 想情况下,单层石墨烯的比表面积能 够达到 2 630m2/ g,而目前普通的活 性炭的比表面积为 1 500m2/ g,石 墨 烯这种比表面积超大的特性使它在储 能领域的应用潜力巨大。 会降低石墨烯特殊属性。化学气相 沉积(C V D)是目前工业上应用最广 泛的一种规模化沉积半导体薄膜的 制备技术,工艺简单,能够制备大面 积石墨烯薄膜。但缺点是理想的基 片材料单晶镍的价格太昂贵,使得 综合制造成本偏高。 综上所述,到目前为止,还没有 形成一种成熟的方法大规模地生产 质量较高的工业级石墨烯。表 1列出 了上述 4种制备方法的对比,其中, 氧 化 石 墨 还 原 法 因 为 工 艺 较 为 简 单,成本较低,相对更加容易量产, 是目前生产石墨烯粉体材料的主流 制备工艺。但该方法在制备过程中 容易破坏石墨烯的分子结构,影响 石墨烯的性能,而且得到的石墨烯 粉体由于比表面积太大不易分散, 团聚比较严重,因此采用该方法制 备的最终产品的实际性能与理论值 有很大差距。气相沉积法是石墨烯 另一个相对较成熟的制备方法,主 要用于制备石墨烯薄膜。这种方法 依然有很多技术问题需要解决,如 石墨烯的某些特殊属 性(量子霍尔 效应等),在气相沉积法制备的石墨 烯中观察不到,说明气相沉积法的 制备过程对石墨烯的结构完整性会 有影响。目前气相沉积法制备的石 墨烯片尺寸只有平方厘米的量级, 不能满足工业化应用的需求。 二、石墨烯的制造方法及对比 目前在工业上和实验室中制备石 墨烯的方法主要有 4种,分别是 :微机 械剥离法、外延生长法、氧化石墨还原 法和气相沉积法。 其 中,微 机 械 剥 离 法 是 直 接 将 石墨烯薄片从较大的石墨晶体上剥 离 下 来 的 方 法,操 作 相 对 简 单,但 制 作的石墨烯尺寸难以控制,不适合 量产。外延生长法是以单晶碳化硅 (S i C)为 原 料,在 超 高温 和 超高 真 空的条件下蒸发除去硅原子,剩下 的碳原子在原来的碳化硅单晶面上 通过结构重排形成单层或多层石墨 烯。这 种 方 法 可 以 得 到 尺 寸 较 大、质 量较高的单晶石墨烯,但工艺条件 苛 刻,成 本

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