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哈尔滨工业大学 半导体物理 真题荟萃 一、解释下列名词或概念： （20 分） 1、准费米能级 6、布里渊区 2、小注入条件 7、本征半导体 3、简并半导体 8、欧姆接触 4、表面势 9、平带电压 5、表面反型层 10、表面复合速度 二、分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点（ 20 分） 三、简述半导体中可能的光吸收过程（ 20 分） 四、画出 p-n 结能带图 （零偏、正偏和反偏情况） ，并简述 p-n 结势垒区形成的物理过程 （20 分） 五、在一维情况下，以 p 型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（ 20 分） 六、解释下列名词或概念： （20 分） 1、准费米能级 6、施主与受主杂质 2、小注入条件 7、本征半导体 3、简并半导体 8、光电导 4、表面势 9、深能级杂质 5、表面反型层 10、表面复合速度 七、画出 n 型半导体 MIS 结构理想 C-V 特性曲线， 如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层 -半导 体存在界面态将分别对曲线有和影响？（ 20 分） 八、简述半导体中可能的光吸收过程（ 20 分） 九、画出 p-n 结能带图 （零偏、正偏和反偏情况） ，并简述 p-n 结势垒区形成的物理过程 （20 分） 十、在一维情况下，以 n 型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（ 20 分） 十一、 解释下列名词或概念（ 30 分）： 1．有效质量 6. 空穴 2. 复合中心 7. 表面复合速度 3. 载流子散射 8. 光生电动势 4. 简并半导体 9. 表面态 5. 少子寿命 10. 表面强反型状态 二、画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化曲线 (10 分 ), 并解释其变化规 律 (20 分 ) 。 三、用能带论解释金属、半导体和绝缘体的导电性（ 30 分）。 四、分别画出零偏、正偏和反偏情况下， p-n 结能带图（ 15 分），并简述 p-n 结势 1 垒区形成的物理过程（ 15 分） 五、如图所示，半导体光敏电阻上表面受到均匀的频率为ν的恒定光照，光功率为 Popt (w), 在电阻两端施加恒定偏压， 光敏电阻内载流子的平均漂移速度为 vd, 设表面反射率为 R，吸收系数为α， 光敏电阻厚度 d1/ α, 量子产额为β， 非 平衡载流子寿命为τ，试求： (1) 光敏电阻中光生载流子的平均产生率 g；（8 分） (2) 光生电流 I P （忽略暗电流） （8 分）， 设 I Ph 为光生载流子被电极收集一次形成 I P