单晶材的料制备方法介绍.pptVIP

第三章 单晶材料的制备技术 √水溶液法 √水热法 √助溶剂法 √熔体法 于刚 2011.921  332水热法 定义 利用高温高压的水溶液使那些在大气条件下不溶或难溶于水的物质 通过溶解或反应生成该物质的溶解产物,并达到一定的过饱和度而 进行结晶和生长的方法。又称高压溶液法 适用情况: 有些材料如So2,A2O3等在通常条件下不溶于水,但在高温高压 及矿化剂存在的条件下,在水中的溶解度明显增大,此类材料可用 水热法生长。 生长晶体——水晶、刚玉、氧化锌以及一系列的硅酸盐、钨酸盐和 石榴石、KTP( KTIOPO4等上百种晶体  水热法发展历史 用水热法生长晶体的开创性工作是1905年意大利人 Spezia生长石英晶体的成功尝试。 ≤在天然晶种上生长了5mm的人工水晶(6个月)。 对水热过程中各种反应的本质了解很少,实验数据又未 详细记录,因而没有找到重复生长大单晶的工艺条件 水热法的快速发展 s二次世界大战后,作为战略物资的天然压电水晶紧缺, 研究水热法合成水晶。  水热法生长过程的特点 1)在压力和气氛可以控制的封闭系统中进行的; 2)生长温度比熔融和熔盐等方法低得多; 3)生长区基本上处在恒温和等浓度状态,且温度 梯度很小; ◆4)属于稀薄相生长,溶液粘度很低。  水热法生长过程的优缺点 优点 6适于生长熔点很高、具有包晶反应或非同成分熔化而在常温常压下 不溶于各种溶剂的晶体材料; ≤适于生长熔化前后会分解、熔体蒸汽压较大、凝固后在高温下易升 华或具有多型性相变以及在特殊气氛中才能稳定的晶体 令缺点 1)设备要求非常严格;(耐温耐压、抗腐蚀性) 2)生长过程很难实时观察 ≤3)生长速率慢,周期长。(50天~3个月)  水热法生长过程的分类 ◆与水溶液生长相似,先将原料溶解, 再用降温法或温差法得到过饱和溶液, 使晶体生长。 一般采用温差水热法,是依靠容器内的溶 液维持温差对流而形成过饱和状态。 1高压釜 温差水热法 4高压釜:密封的厚壁金属(合金钢)圆筒; 上部生长区一籽晶,下端高温区一原料。 釜内填充物:一定容量和浓度的矿化剂溶液 3.培养基 作为溶剂介质。 多孔隔板一溶解区和生长区之间 依靠容器内的溶液维持温差对流而形成过饱 和状态。液下边热、上边冷。温度:200 1100C,压力:200-10000tm 水热法生长晶体主要装置  水热法生长过程 今容器内部因上下部分的温差而产生对流,将高 温溶解区的饱和溶液带到低温区形成过饱和溶 液,溶质在籽晶上析出生长晶体。 今冷却析出部分溶质后的溶液又流向下部,溶解 培养料; 如此循环往复,使籽晶得以不断生长。  温差水热法结晶的必要条件 a.在高温高压的某种矿化剂的水溶液中,能使晶体原料具 有一定值(1.5-5%)的溶解度,并形成稳定的所需的单 晶相 ◆b.有足够大的溶解度温度系数,在适当的温差下能形成足 够大的过饱和度而又不产生过分的自发结晶 令c.具备适于晶体生长所需的一定切型和规格的将晶 ◆d.溶液密度的温度系数要足够大,使得溶液在适当的温差 条件下具有引起晶体生长的溶液对流和溶液传输 令e.备有耐高温高压抗腐蚀的容器。  水热法生长晶体关键技术 1、溶剂填充度 令初始填充度:指室温下装釜时溶剂的初始容积和高压釜 内的有效容积之比。釜中的液相填充度与温度有关。 令在人造水晶的生长中,通过增加填充度来提高生长速率 与改善晶体质量 2、溶解度 令晶体在水热溶液中的溶解度随系统的温度、压力的不同 而不同,并与溶剂(矿化剂)的种类及其浓度有关  水热法生长晶体关键技术 3、多孔隔板(缓冲器) 令调节生长系统中的溶液对流或质量传输状态,使两区 温差增大,提高晶体的生长速率。 而且还能使整个生长区达到比较均匀的质量传输状 态,使生长区上下部晶体的生长速率相接近。 令缓冲器的合理设计是水热法生长晶体的关键工艺之一。