单片机技术 7.4执行装置的接口技术 7.4执行装置的接口技术.pptVIP

国家开放大学 / * 讲课时详述部分可跳过 * 说明：OE1和OE2均与PSEN接通，地址线也是类似 * * 注意：8051寻址能力在64K，所以只能是32K*2、8K*8，即32K的存储器2片（不能超过2片） * * 又称为部分译码，即P2.0-2.7没有全部参与译码，如图中P2.5-2.7均为悬空。会导致地址重叠 * /RD与外部RAM的输出允许线OE相连，在ROM扩展中是用PSEN与外部ROM的OE相连 * CE：片选信号线；OE：允许输出线（它是27256的输入线），当OE=0时，则允许从6264读出的数据直接送到数据总线D7~D0上，否则为高阻状态。 * 注意：在访问片外RAM时，ALE不再输出固定的fosc/6脉冲序列 * 7.4 执行装置的接口技术 7.4.1 继电器输出接口技术 继电器是电气控制中常用的控制器件。一般由通电线圈和触点（常开或常闭）构成。当线圈通电时，由于磁场的作用，使开关触点闭合（或打开）；当线圈不通电时，则开关触点断开（或闭合）。一般线圈可以用直流低电压控制（常用的有9 V、12 V、24 V等）；而触点输出部分可以直接与市电（220 V）连接；有时继电器也可以与低压电器配合使用 虽然继电器本身有一定的隔离作用，但在与单片机接口连接时，通常还是采用光电隔离器进行隔离。 120-* 7.4.1 继电器输出接口技术 继电器接口电路 反之，当P1.0输出低电平时， J1-1断开。图中电阻R1为限流电阻，二极管D的作用是保护晶体管T。当继电器J吸合时，二极管D截止，不影响电路工作。 当开关量P1.0输出为高电平时，经反相驱动7406变为低电平，使发光二极管发光，从而使光敏三极管导通，进而使三极管9013导通，因而使继电器J的线圈通电，继电器触点J1-1闭合，使交流220 V电源接通。 120-* 当感应电压与VCC之和大于晶体管T的集电极反向电压时，晶体管T有可能损坏。加入二极管D后，继电器线圈产生的感应电流从二极管D流过，从而使晶体管T得到保护。 7.4.1 继电器输出接口技术 继电器释放时，由于继电器线圈存在电感，这时晶体管T已经截止，所以会在线圈的两端产生较高的感应电压。此电压的极性为上负下正，正端接在晶体管的集电极上。 120-* 7.4.1 继电器输出接口技术 不同的继电器，其线圈驱动电流的大小，以及带动负载的能力不同，选用时应考虑下列因素： （1）继电器额定工作电压（或电流）。 （2）接点负荷。 （3）接点的数量或种类（常闭或常开）。 （4）继电器的体积、封装形式、工作环境、接点吸合或释放时间等。 120-* 7.4.1 继电器输出接口技术 为了让单片机驱动继电器，一般在电路中采取的措施有： （1）将单片机输出的信号放大，以满足负载需求。 （2）采取可以抵抗反电动势的措施。为此，需要增加二极管或者电容之类的器件，把反电动势吸收掉。 （3）使用光电隔离器，将单片机与负载隔离，消除它们之间的电的联系。 （4）尽量选用既符合单片机输出电压、电流等级要求，又满足负载要求的继电器，使它们兼容。 120-* 7.4.2 可控硅输出接口技术 1. 单向可控硅（SCR） 单向可控硅符号 单向可控硅的表示符号如图，它有三个引脚，其中A为阳极，K为阴极，G为控制极。更大容量的单向可控硅一般采用平板式，可带风冷散热器或水冷散热器，小容量的单向可控硅外形与大功率整流二极管相似，只是多了一个引脚。 120-* 1. 单向可控硅（SCR） 单向可控硅符号 从单向可控硅的结构看，它与二极管有些相似，但在其二端加正向电压而控制极不加电压时，并不导通，正向电流很小，处于正向阻断状态，如果此时在控制极与阳极间加上正电压，则可控硅由截止转为导通，正向压降很小。一旦导通后，即使撤去控制电压(Ig为0),其仍能保持导通状态，因此，利用切断控制电压的方法不能关断负载电流。 只有当阳极电位小于或等于阴极电位时，即阳极电流Ia小于维持电流IH以下时，可控硅才由导通变为截止。 120-* 1. 单向可控硅（SCR） 单向可控硅符号 可控硅输出特性 如在交流回路中使用，如作为大功率整流器件，当电流过零进入负半周时，能自动关断，如到正半周要再次导通，必须重新施加控制电压。 120-* 1. 单向可控硅（SCR） 在选用单向可控硅时，应注意下列参数： （1）额定电压V0 ：通常把断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压 VRRM中较小的一个数值作为该型号器件的额定电压。选用时，额定电压值应为正常工作峰值电压的2～3倍。 （2）额定通态平均电流IF：在规定环境温度及标准散热条件下，允许通过工频正弦半波电流的平均值叫作额定通态平均电流。由