加在二极管上端电压.pptVIP

第一章 半导体材料及二极管 ●●●●00● ●●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●  1.3晶体二极管及其应用 二极管的核心是一个PN结 芯片 封装 正极 负极正极 负极 引线 引线 (b) 图1.11二极管的结构和电路符号。。。。。。 ●●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●  1.3.1晶体二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指流过二极管中的电流i 与其端电压之间的关系 D (1.16) 加在二极管上的端电压 流过二极管上的电流 ●●●●00● ●●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●  1.正偏伏安特性 二极管的正偏伏安特性方程: ≈1e (1.17) 二极管的正向电流随正偏电压的增大呈指数规律 增加。 ●●●●00● ●●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●  2.反偏伏安特性 二极管的反偏伏安特性方程: (1.18) 可见,二极管反向电流讠不随反向偏压v0而变 化,仅有很小的反向饱和电流 ●●●●00● ●●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●  mA 25 204060 vD(v) Ge 10μA ●●●●00● 图1.12二极管的伏安特性曲线 ●●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●  3.反向击穿特性 iD(mA)I 当加在二极管 上的反偏电压超过 G 某一数值VB时,反 偏电流将急剧增大 这种现象称为二极 管的反向击穿 IHA l.0 I9=0.1 pA Si 图1.13二极管的反向击穿特性 ●●●●00● ●●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●  导致二极管出现反向击穿的原因有下面两种: 雪崩击穿 齐纳击穿 ●●●●00● ●●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●  4.温度对二极管伏安特性的影响 温度对二极管正向特性的影响 727 (22.5mV C 温度对二极管反向特性的影响 (T2)=l(7)210 72 10p a 图1.14温度对二极管伏安特性的影响 ●●●●。0● ●●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●  5.Si二极管与Ge二极管的差别 FiD(mA) Si二极管的开启电压 约0.5-0.6V,Ge二极管 的开启电压约0.1-0.2V。 Si二极管反向电流比Ge 二极管反向电流小得多 Si管是pA量级,Ge管 是μA量级 vb(V) 10uA 为什么? 图1.15Si和G两种二极管伏安特性的差别 ●●●●00● ●●●●●●● ●●●●●●●● ●●●●●●●