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多个DS18B20测温的proteus仿真电路及C语言程序设计
proteus仿真电路
元器件组成
C语言程序:
#includereg51.h
sbit DQ=P1^2;
sbit DQ1=P1^1;
sbit DQ2=P1^0;
sbit DQ3=P1^3;
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
uchar temp_value,temp_value1,temp_value2;
uchar code table[]={0X3F,0X06,0X5B,0X4F,0X66,0X6D,0X7D,0X07,0X7F,0X6F,0X40};
void delay_18B20(uint i)
{
while(i--);
}
void Init_DS18B20(void)
{
uchar x=0;
DQ = 1; //DQ复位
delay_18B20(8); //稍做延时
DQ = 0; //单片机将DQ拉低
delay_18B20(60); //精确延时 大于 480us
DQ = 1; //拉高总线
delay_18B20(14);
x=DQ; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败
delay_18B20(20);
}
uchar ReadOneChar(void)
{
uchar i=0;
uchar dat = 0;
for (i=8;i0;i--)
{
DQ = 0; // 给脉冲信号
dat=1;
DQ = 1; // 给脉冲信号
if(DQ)
dat|=0x80;
delay_18B20(4);
}
return(dat);
}
void WriteOneChar(uchar dat)
{
uchar i=0;
for (i=8; i0; i--)
{
DQ = 0;
DQ = dat0x01;
delay_18B20(5);
DQ = 1;
dat=1;
}
}
void Init_DS18B201(void)
{
uchar x=0;
DQ1 = 1; //DQ复位
delay_18B20(8); //稍做延时
DQ1 = 0; //单片机将DQ拉低
delay_18B20(80); //精确延时 大于 480us
DQ1 = 1; //拉高总线
delay_18B20(14);
x=DQ1; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败
delay_18B20(20);
}
uchar ReadOneChar1(void)
{
uchar i=0;
uchar dat = 0;
for (i=8;i0;i--)
{
DQ1 = 0; // 给脉冲信号
dat=1;
DQ1 = 1; // 给脉冲信号
if(DQ1)
dat|=0x80;
delay_18B20(4);
}
return(dat);
}
void WriteOneChar1(uchar dat)
{
uchar i=0;
for (i=8; i0; i--)
{
DQ1 = 0;
DQ1 = dat0x01;
delay_18B20(5);
DQ1 = 1;
dat=1;
}
}
void Init_DS18B202(void)
{
uchar x=0;
DQ2 = 1; //DQ复位
delay_18B20(8); //稍做延时
DQ2 = 0; //单片机将DQ拉低
delay_18B20(80); //精确延时 大于 480us
DQ2 = 1; //拉高总线
delay_18B20(14);
//x=DQ1; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败
delay_18B20(20);
}
uchar ReadOneChar2(void)
{
uchar i=0;
uchar dat = 0;
for (i=8;i0;i--)
{
DQ2 = 0; // 给脉冲
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