半导体物理总结的讲义.pptVIP

第章半导体中的基本性质 半导体的晶格结构 口什么是半导体 口晶体、多晶和非晶 口晶体的周期性和对称性 口晶体的晶向和晶面 口Si、Ge晶体的金刚石结构 口化合物半导体和闪锌矿结构 半导体的晶格结构 Si晶体的金刚有结构 Si、Ge等元素半导体结合形成晶体时,具有金刚石结构形式,它以四面体结 构为基础构成。由两个面心立方套构而成,位于不同面心立方中的S原子的 性质并不等价,因此,金刚石结构,由复式格子组成。半导体Si晶体的这种 晶体结构与其原子结合形成晶体时的结合方式有关 Il. Si Crystal Si has a diamand structure, which is two face centered cubic(FCC) unit cells offset by 14 diagonal, Each Si atom has 4 nearest neighboring Si Crystal- Diamond lattice unit cell 半导体中的基本性质 晶体的结构通常与原子结合形成晶体时的结合方式有 关,本节将讨论固体结合形成晶体的结合方式和性质 221固体的结合和化学键 22.2S原子结构和S晶体的共价键结合 223S晶体的四面体结构 半导体的结合性质 固体结合的化学键包括: 离子键( Tonic Bonding) 金属键( Metallic Bonding) 共价键( Covalent bonding) 范德瓦耳斯键( an der Waals bonding) §22半导体的结合性质 22.1固体的结合和化学键 共价键( Covalent bonding) 23S晶体结合的四面体结构 半导体的能带 薛定谔方程和原子的能级 布洛赫定理和晶体的能带 固体的能带和K空间 金属、半导体、绝缘体的能带 8上8 E VB 立 emiconductor Insulator 存在半满的能带 Eg≡1eVv Eg 5eV 电子占据能带或是 全满或是全空 第一章半导体中的基本性质 半导体中电子的状态 有效质量近似 半导体导电的能带论解释半导体的导电 半导体的导电载流子 有效质量近似及其意义 有效质量概括了晶体势场对电子运动的影响 导体中的导电载流子 半导体的导带和电子载流 Ec 导体的价带和空穴载流 hole and Structure (lots 半导体中的掺杂和杂质能级 杂质:在半导体晶体中引入的新的原子或离子 缺陷:晶体按周期性排列的结构受到破坏 L施主杂质和施主能级 ●●●●●。● 。。●-。! Ec T+OK Increasing t Room temperature 3施主电离:施主向导带释放电子的过电离能ED=EC-ED 程 2.受主杂质和受主能级 Ec ◆◆◆◆◆◆◆◆EA 0o000oo T+OK Increasing T Room temperature 受主电离:施主向导带释放电子的过程。电离能ED=EC-ED 3.施主和受主的特征 N型半导体和P型半导体