半导体电导率与霍尔效应.pptVIP

固体理论 第六章半导体电子论 Electron theory of semiconductor 微电子与固体电子学院 朱俊 上一堂回顾 _.a..、aE E E (d) 强p型 型 本征 n型 强n型 ■施主和受主:能级位置 ■类氢杂质能级—浅能级杂质:特点 上一堂回顾 杂质半导体载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度决定 2(27m keT 2(2mk,T)2 np=NNe kgT (1)N型半导体导带中电子浓度 1+[1+4 (2/N)e 1+[1+4( (2)P型半导体中空穴浓度 GNp型掺杂难 上一堂回顾 (3)费米能级 N P=Ne kgT 对于杂质浓度一定的半导体,随温度升高,载流子以杂 质电离为主过渡到以本征激发为主。相应地费米能级从 位于杂质能级附近移到禁带中线处 费米能级既反映导电类型,也反映掺杂水平。 54半导体电导与霍尔效应 1半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律 σ为电导率 半导体中可以同时有两种载流子 电流密度j=npv+pgv 空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 平均漂移速度和外场的关系v=AE,D=E 空穴和电子的迁移率 欧姆定律j=ngE+p1E 电导率O=nq+Pqp 载流子的漂移运动是电场加速和半导体中散射的结果 电子在输运过程中会受到一系列的散射: 声子(声学、光 杂质 原子 界面粗 学、压电) 糙度 合金 位错 偶极子 散射来自于晶格振动和杂质 温度较高时,晶格振动对载流子的散射是主要的 温度较低时,杂质的散射是主要的(库仑散射) 迁移率一方面决定于有效质量 加速作用 另一方面决定于散射几率 GaN新的散射机制 AlGaN channel electric field tOrO 2CEC alra 偶极子散射 位错散射 杂质激发的范围,主要是一种载流子 bIngu N pqu P 掺杂不同的Ge半导体—导电率随温度变化 1)低温范围,杂质激发的载流[n↑, HTemperature!LTemperature 子起主要作用 载流子的 数目与掺杂的情况有关 2)高温范围,本征激发的载 流子起主要作用 载流 的数目与掺杂的情况无关 3)中间温度区间,温度升高 Germanium Sampl 时,导电率反而下降 with different doping 晶格散射作用 1/T 温度很低时,电阻率随温度升高而降低。因为这时本征激发极弱, 可以忽略;载流子主要来源于杂质电离,随着温度升高,载流子 浓度逐步增加,电离杂质散射是主要散射机构,迁移率随温度升 高而增大,导致电阻率随温度升高而降低 温度进一步增加(含室温),电阻率随温度升高而升髙。在这 温度范围内,杂质已经全部电离,同时本征激发尚不明显,故载 流子浓度基本没有变化。对散射起主要作用的是晶格散射,迁移 率随温度升高而降低,导致电阻率随温度升高而升高 温度再进一步增加,电阻率随温度升高而降低。这时本征激发越 来越多,虽然迁移率随温度升高而降低,但是本征载流子增加很 快,其影响大大超过了迁移率降低对电阻率的影响,导致电阻率 随温度升高而降低。当然,温度超过器件的最高工作温度时,器 件已经不能正常工作了。 低温 饱和 本征 电阻率与温度的关系示意图 2.半导体的霍耳效应 Hall effect 半导体片置于xy平面内 B 电流沿x方向 —磁场垂直于半导 EE 体片沿z方向 流子受到洛伦兹力 F=av×B F=-gv B ≌55 空穴导电的P型半导体,载/2 X XCH007008