9b GaN功率半导体器件.pdf

G a N ，S i C 与 S i性 能 比较 高压 高温 高频 G a N 器 件 的优 势 GaN器件具有比Si更好的性能 ： p 高击穿场强 ，更薄 p更快的Ton （100V/ns ）， p 高电子迁移率 ，更低 的晶片 更低的开关损耗 的导通电阻 G a N 器 件 的应 用 方 向 有缘学习更多+谓ygd3076考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺） 器件特性与中小功率开关电源的发展极为契合 来 未