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电力电子技术 第一章单元测试 1、问题:电力电子技术中，电力变换电路包含（ ）变换。 选项： A:AC/DC B:DC/DC C:DC/AC D:AC/AC 答案: 【AC/DC,DC/DC,DC/AC,AC/AC】 2、问题: （）年，电子管出现，从而开创了电子技术之先河。 选项： A:1904 B:1914 C:1905 D:1915 答案: 【1904】 3、问题:1957 年，美国通用电气公司研制出第一个( )，因 电气性能和控制性能优越，其应用范围迅速扩大。 选项： A:晶闸管 B:GTO C:GTR D:IGBT 答案: 【晶闸管】 4、问题:一般认为，电力电子学的诞生是以 ( )的发明为标志。 选项： A:IGBT B:晶闸管 C:GTR D:GTO 答案: 【晶闸管】 5、问题:电力电子技术的发展趋势( ) 选项： A: 向容量更大和更小的两个方向发展 B: 向集成化方向发展 C: 向智能化方向发展 答案: 【向容量更大和更小的两个方向发展,向集成化方向发展, 向智能化方向发展】 6、问题:电力电子器件按照驱动信号分类，可分为（ ） 选项： A: 电流驱动型 B:电压驱动型 C:混合型 答案: 【电流驱动型,电压驱动型】 7、问题:电力电子器件按照器件内部电子和空穴两种载流子 参与导电的情况分为( )。 选项： A:单极型器件 B:双极型器件 C:复合型器件 答案: 【单极型器件,双极型器件,复合型器件】 8、问题:电力电子器件按照其控制器通断的能力分为（ ）器 件。 选项： A:半控型 B:全控型 C:不控型 答案: 【半控型,全控型,不控型】 9、问题:电力电子器件组成的系统，一般由（ ）组成。 选项： A:控制电路 B:驱动电路 C:电力电子器件 D:保护电路 答案: 【控制电路,驱动电路,电力电子器件,保护电路】 第二章单元测试 1、问题:晶闸管稳定导通的条件（ ） 选项： A:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B:晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 C:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D:晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 答案: 【晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流】 2、问题:已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管 的电流（ ） 选项： A:减小至维持电流以下 B:减小至擎住电流以下 C:减小至门极触发电流以 D:减小至 5A 以 答案: 【减小至维持电流以下】 3、问题:为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓 流驱动电路经常采用（ ） 选项： A:du/dt 抑制电路 B:抗饱和电路 C:di/dt 抑制电路 D:吸收电路 答案: 【抗饱和电路】 4、问题:IGBT 是一个复合型的器件，它是（ ） 选项： A:GTR 驱动的 MOSFET B:MOSFET 驱动的 GTR C:MOSFET 驱动的晶闸管 D:MOSFET 驱动的 GTO 答案: 【MOSFET 驱动的 GTR】 5、问题:晶闸管触发电路中，若改变（ ）的大小，则输出脉 冲产生相位移动，达到移相控制的目的。 选项： A: 同步电压 B:控制电压 C:脉冲变压器变比 D:以上都不能 答案: 【控制电压】 6、问题:功率晶体管的安全工作区由以下 4 条曲线限定：集 电极发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集 电极最大允许电流线和（ ） 选项： A:基极最大允许直流功率线 B:基极最大允许电压线 C:临界饱和线 D:二次击穿功率线 答案: 【二次击穿功率线】 7、问题:晶闸管的伏安特性是指( ) 选项： A:阳极电压与门极电流的关系 B:门极电压与门极电流的关系 C:阳极电压与阳极电流的关系 D:门极电压与阳极电流的关系 答案: 【阳极电压与阳极电流的关系】 8、问题:具有自关断能力的电力半导体器件称为( ) 选项： A:全控型器件 B:半控型器件 C:不控型器件 D:触发型器件 答案: 【全控型器件】 9、问题:取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的 一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( ) 选项： A:转折电压 B:反向击穿电压 C:阈值电压 D:额定电压 答案: 【额定电压】 10、问题:当晶闸管承受