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器件与工艺模拟课程设计 题目：PNP管设计及其准静态电特性分析 班级：电子科学与技术 11-1班 组员：李可 冼马军 张胜 学号20114685目录 一、 设计内容及基本要求 二、 晶体管工艺参数设计 三、 PNP管设计 四、 准静态电特性分析 五、 问题讨论 六、 心得体会 七、 参考文献 .设计内容及基本要求 1、 目标：设计一共射极直流增益B 150的PNP双极型晶体管， 并分析其输入特性和输出特性。 2、 要求： 1） MDRAW具设计一个双极型晶体管（平面工艺）； 2） 在MDRA下对器件必要的位置进行网格加密； 3） 编辑*_des.cmd文件，并在终端下运行此程序，其中集电极偏 压从0V扫到-20V ； 4） 应用INSPECT工具得出器件的输出特性和不同基极电流（取 0,-2,-4,-6,-8,-10 卩A）时的Ic-Vc输出特性曲线。 5） 用Tecplot_ise 对比晶体管工作于放大区（i b0, VceVje）、饱 和区（iB0, V ceVBe）和截止区（iB0）时的电场分布、载流子 分布、载流子电流密度分布。 6） 观察并解释基区宽度调制效应。 晶体管工艺参数设计 1、浓度参数 根据设计要求，需要设计出共射极直流增益B 150的PNP双极型晶 体管。首先各区浓度，一般晶体管浓度满足 NNNC。同时又要求发 射极重掺杂，所以去 NE=1X 1019cm3 , NB=1X1017cm3, NC=1X 1016cm3, IOC卄?十上??]?丄」■丄. IOC 卄?十上 ??]?丄」■丄. 呢 p h. - ! 5 2 x. g 戈 E I MLItul^M 啊；；翼2416北和. f _^i I -i.4U-f^-x ■ .9B —Mr ■■!■?*; :”1 ■UMBaa J9^a4-ri-B3a- 心HfmHf 丄丄 J: :t 一 iT^-r?丄 |;|4 ^—J -1 4-r-i-r--e L .L .L9 V - ]■! Li 卜..] ― ■护 -、 LL. 3 * ?A * .士 : : 三2 ■■牛 —■! -? L_ 仕■如》■* 亠■! , - i -：■ ；i :: H fr^t-.r 冲-4-f -r ■ 4 -w— ■??■ -^^1 —^-m -尸筐卜Lh ■ uu』-? fat- :t:----.T-t-T- V, .VD(cni 3) 3 图T迂移那巧駅威蔽度的关幕圈 根据图1,得到少子迁移率： a c=a n=1248crf/v ? s a b=卩 p=331cnr/v ? s a e= n=270cnVv ? s 根据公式可得少子的扩散系数 D=^t c =0.026 x 1248=32.45cm7s q L^i 2 D二— b=0.026 x 331=8.61cm/s q D=0 E =0.026 x 1248=7.02cm2/s q Hi $二i 口中律中出七魏饨护出常的岛?和押HtKJl. F神釈證喔誡矩系 禺2 AF寿命〒酥淋席前乂据 iO*峯工2Ik fr?*1 ICT iO* 峯工2 Ik fr?*1 ICT1 l?ra I0H io- 阿■ ?f 特 ?曾』/# IM* Mtn 齐十* 宀电枫 r^\rjxr a nr ?kj? 吐电畑Mt携 ffi3 少子壽命与播亲浓度豹甬敌关乘(■半导体切啜PHD ?p* 00 1 .1 =器苗 i-- 根据图2、图3,分别得到各区少子寿命T c、T B、T E、 t c=8x t c=8x 10-5s t b=2x 10 s t e=1.07 x 10 s 根据公式得出少子的扩散长度： Lc= DC C =510 a m Lb= Db b =41.4 卩 m L e= de e =8.67 卩 m 2、尺寸参数 集电极厚度：WC为5a m 基区宽度 当发射效率丫?1时，电流放大系数丄［尊］，因此基区宽度的最 Lnb I 2丄 大值可按下式估计：Wb ［丄^］2设计过程中取入=4。根据公式，求 得低频管的基区宽度的最大值为： W Wb =21.4 a m 基区宽度的具体设计: E-B结的内建电势为: VbiEB0.026ln1 10 VbiEB 0.026 ln 1 1019 1 1017 (1.45 1010)2 0.938V C-B结的内建电势为: VbiCB kTinN^Ni q □ 0.026 In 1 1016 1 1017 (1.45 1010)2 0.759V 根据公式,E-B结在基区一边的耗尽层宽度 XnEB 为: XnEB2Ks 0 XnEB 2Ks 0 Ne q Nb Ne Nb 2 11.8 8.85 10 14 0.938 1.6 10 19