第五章薄膜淀积工艺.ppt

第五章 薄膜淀积工艺 （中）;薄膜淀积（Thin Film Deposition）工艺;■ 引言 ■ CVD工艺原理 ■ CVD技术分类及设备简介 ■ 典型物质（材料）的CVD工艺;1. 常压化学气相淀积 APCVD，Atmospheric Pressure CVD 2. 低压化学气相淀积 LPCVD，Low Pressure CVD 3. 等离子体增强化学气相淀积 PECVD，Plasma Enhanced CVD 4. 其他特殊的CVD工艺：金属CVD，RTCVD，……;图13.9 连续供片式APCVD系统;图13.11 用于使喷嘴处淀积最小化的喷头设计;图13.12 常见LPCVD反应器结构;整批式热壁LPCVD反应器结构图;多晶硅 SiH4/Ar(He) ～ 620℃ Si3N4 SiH2Cl2 +NH3 750~800℃ SiO2 SiH2Cl2 +N2O ～ 910℃ PSG SiH4+PH3 +O2 ～ 450℃ BSG SiH4+B2H6 +O2 ～ 450℃;3. 等离子体化学气相淀积（PECVD）;■ 淀积二氧化硅可分为非掺杂二氧化硅和掺杂二氧化硅。;(1) 二氧化硅淀积的工艺方法：;PSG薄膜的回流效果示意图;■ PSG的回流（Reflow）工艺：1000～1100℃，N2/O2/H2O;(3) 淀积二氧化硅的性质;? 淀积速率快，温度较低 ? 可制备掺杂二氧化硅 ? 台阶覆盖性和间隙填充能力好;? 采用ECR等高密度等离子体源，在低压 （0.01Torr）下提供高密度的等离子体 ? 馈气：SiH4，O2 ，Ar (或He) ? 化学反应： SiH4+ O2，在硅片表面淀积SiO2 ? Ar+离子轰击硅片表面，改善台阶覆盖和间隙填充。;? 作为金属层间介质，SiO2引入的寄生电容会影响IC的 工作速度，并造成串扰（cross-talk ）。;b. 多晶硅工艺：多片式热壁LPCVD工艺淀积： 575～650℃，0.2~1.0 Torr，淀积速率大约在100～1000埃/分钟;后端温度升高，补偿硅烷消耗;■ ? 温度不同，淀积薄膜的形态不同：温度提高，多晶晶粒尺寸 变大。;■ ? 当气体分压比和泵的抽速不 变，改变总气流量时，淀积 速率与气压成正比关系。 ■ ? 固定气流量只改变抽速时， 淀积速率与气压的关系很小。 ■ ? 为维持稳定的淀积速率，一 般采用固定气流量，通过改 变抽速来控制气压的方法， 此时淀积的重复性最好。;■ ? 淀积速率与硅烷浓度之间没有线性关系 ■ ? 非线性生长的因素：质量输运机制、同质反应、氢气吸 附等；高浓度硅烷中的同质反应在给定温??和气压下， 限制了淀积速率和浓度的上限。;a. 温度：低于575 ℃时淀积的多晶硅是无定形结构； 高于625 ℃时淀积的多晶硅是柱状结构。 b. 经过热处理后，多晶硅薄膜可发生结晶和晶粒生长。 c. 氧、氮、碳等杂质使无定形硅到1000 ℃以上仍是稳定的。;? 原位掺杂工艺：PH3，AsH3，B2H6 ??三族元素（如硼）掺杂有助于分子的表面吸附，因而将 提高多晶硅淀积速率。 ??五族元素（如磷、砷）掺杂减少分子的表面吸附，因而 将降低多晶硅淀积速率。 ? 扩散掺杂：POCl3扩散工艺，掺杂后的浓度达到1×1021 cm-3。 ? 离子注入掺杂：可同时制作P型和N型掺杂多晶硅。;■ ? 硅选择氧化的掩蔽膜：氮化硅的氧化速率非常慢。 ■ ? IC的钝化层：化学配比的氮化硅（Si3N4）对水和钠的扩 散具有很强好的阻挡效果。 ■ ? 氮化硅的介电常数高（6～7），适用于电容器的介质 层，也有用于小尺寸MOS器件的栅介质。;? 椭偏仪测量折射率，或测量HF液中腐蚀速率 ? 折射率在1.8~2.2之间，高折射率代表富硅，低折射率代 表氧的存在 ? 薄膜中一般含有氢和氯;(3) PECVD 淀积氮化硅;(4) 氮化硅薄膜特性比较;金属填充接触孔示意图;