第二课时 CMOS逻辑.pptVIP

第二章 CMOS逻辑 CMOS晶体管是个4端器件：栅、源、漏、衬底。CMOS晶体管是个开关，而开关必须导通或接通才能使电流在源漏之间流过。就数字信号而言，晶体管的源、漏两端是等效的，不必担心电开关的两端如何标记。 VAB是电路中节点AB之间的电势差。 斜体字母表示变量，常量用正体字表示。大写字母表示直流、大信号或稳压电压。 效仿TTL的例子，用VDD表示NMOS芯片中的正电源。NMOS芯片中的电源名称也为CMOS所用。 VDD是电源电压节点或网名，VDD代表其数值。 逻辑设计者常称CMOS负电源为VSS或Vss，即使他们实际是接地或接GND。 CMOS采用正逻辑——VDD为逻辑1，VSS为逻辑0。 2.1 CMOS晶体管 2.1.1 p-沟晶体管 CMOS晶体管的源和漏看起来都是相同的：为了加以区分，必须知道电流是如何流动的。n-沟道晶体管源极电压低于漏极电压，p-沟道晶体管则相反。 n-沟道晶体管，阈值电压Vth通常为正值，且端电压VDS和VGS也为正值。 p-沟道晶体管中，Vth通常为负值。 2.1.2 速度饱和 对于深亚微米晶体管，有公式计算出的漏-源电流会过高，主要有三个原因:首先，阈值电压不是常数；其次，沟道实际长度短于所设定的长度；第三，在高电场时，公式会失效。此时，电