《固体电子学》第四章-1导体、半导体和绝缘体的区别.pptx

在电场作用下，一个充满了电子的能带不可能产生电流。 如果孤立原子的电子都形成满壳层，当有N个原子组成晶体时，能级过渡成能带，能带中的状态时是能级中的状态数目的N倍。原有的电子恰好充满能带中所有的状态，这些电子并不参与导电。 如果孤立原子壳层不满，则在外场作用下可以产生电流。 例如金属钠，1s2,2s2,2p6,3s1。当N个原子组成晶体时，3s能级过渡成能带，能带中有N个状态，可容纳2N个电子。但Na只有N个3s电子，能带是半满。在电场作用下，可以产生电流。属于导电金属。空穴导电： 假设在满带中有一个状态k未被电子占据，此时能带不满，在外场下有电流Ik产生。 在该空位处引入一个电子，则该电子产生的电流等于-ev(k)。引入这个电子后，总电流为零。Ik+[-ev(k)]=0Ik=ev(k) 当状态k是空的时，能带中的电流就像是由一个正电荷e所产生的，而去运动的速度等于处在k状态的电子运动的速度v(k)。 当满带顶附近有空穴状态k时，整个能带中的电流以及电流在外磁场作用下的变化完全如同一个带正电荷e，具有正有效质量mh和速度v(k)的粒子，我们将这种假象的粒子称为空穴。 空穴：带有正电荷e，正有效质量，准粒子，代表近满带中所有电子的集体行为。 空穴不能脱离晶体而单独存在，对于讨论半导体的许多物理性质起到很大的作用。3.6.3 导体、半导体和绝缘体的区别 直到能带理论建立以后，才对为什么有导体，半导体和绝缘体的区分提出了理论上的说明。能带被电子充满满带一个能带最多能容纳2N个电子。部分被填充的能带导带未被电子占据的能带空带满带中的电子不能起导电作用；导带中的电子能够产生一定的电流。在极低温度下，半导体和绝缘体都属于非导体类型。 温度升高，少数电子被热激发，从满带跳到邻近的空带中，形成导带和近满带，从而具有导电性。这种现象被称为本征导电。半导体的禁带宽度小，绝缘体的禁带宽度大。半导体容易形成本征导电性，绝缘体很难形成本征导电性。能量较高的满带称作价带。它由形成化学键的价电子所占据。满带中缺少电子则形成空穴。满带顶附近的空穴参与的导电--------空穴导电。价带底附近的电子参与的导电--------电子导电。相同数目的空穴和电子构成的混合导电--------本征导电。导带中的电子和满带中的空穴--------载流子。 半导体除了具有本征导电性外还由于存在一定的杂质，而具有“杂质”导电性能。电子填充能带的情况与价电子的多少和实际的能带结构都有关系。3.7.2 硅和锗的能带结构1 硅和锗的导带结构 对于N型Si，磁感应强度相对于晶轴有不同取向时，改变磁场强度可以得到数目不能的吸收峰。 如果认为Si导带底附近等能面是沿[100]方向的旋转椭球面，椭球长轴与该方向重合，Si导带最小值不在k空间原点，而在[100]方向上。 根据Si晶体的对称性要求，在与[100]等价的其他100方向上也必须有同样的能量极值。 共有6个旋转椭球面。 分别取[100],[101],[001]为x，y，z方向。则三个方向的有效质量有不同取值。??? 仅从电子回旋共振实验还不能确定导带极值的确切位置。2 硅和锗的价带结构 但等能面并非球面，而呈“扭曲”的形状。价带包含三支，能量关系表示为。 等能面在k空间原点附近为球面。 另外两支在k=0处简并，能量表示式为：这两支价带相应的有效质量并不一样。 若半导体材料的导带底与价带顶能量对应的波矢相同（例如均在布里渊区的中心），则这种半导体称为直接禁带半导体，例如GaAs，ZnO等。 理论和实践相结合得出的Si，Ge沿111和100方向上的能带结构图。下式规律减小3.7.3 GaAs的能带结构图 除了Ⅳ族元素半导体Ge、Si外，Ⅲ-Ⅴ族化合物也是重要的半导体材料，例如GaAs。 所有Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，都具有闪锌矿结构，布里渊区同面心立方的一样。 导带极小值位于布里渊区中心k=0处，等能面为球面，导带底电子的有效质量为0.067m0。。 在布里渊区边界处各有一个极小值，电子的有效质量分别为0.55m0和0.85m0。 室温下，导带的三个极小值与价带顶能量差分别为1.424eV、1.708eV和1.900eV。 AsGa价带具有一个重空穴带，一个轻空穴带和由于自旋轨道耦合分裂出来的第三个能带。重空穴的极大值稍微偏离布里渊区的中心。 重空穴的有效质量为0.45m0，轻空穴的有效质量为0.082m0，第三个能带的分裂距离为0.34eV。第四章 半导体中的载流子计算机、数码相机、手机等公交卡、银行卡、电话卡等热敏器件、太阳能电池、激光器、各种照明器件、显示器件、图像器件等二极管、三极管等基本电子器件半导体材料（Si、Ge）§4.1 本征半导体与杂质半导体 极低温下，半导体能带为全满或全空。 室温下，少量电子跃迁，导电。 电阻率为