《固体电子学》第四章半导体中的载流子-3.pptx

简并半导体中载流子浓度的一般表达式;; 同理，可推导简并半导体价带空穴浓度表达式：;§4.4 载流子的漂移运动; 在dt时间内空穴的运动距离为：vpdt; 所以，对于空穴，电流密度;迁移率的意义：;T ↑，载流子的运动速度↑，散射几率↓；; 散射越强，迁移率越小。;4.4.2 电导率;较低温度，电导率随温度迅速增加。 杂质电离随温度升高而增加，载流子数 目随之增加。 中间温度区，电导率随温度升高而降低。 杂质基本电离，载流子数目不再增多， 而晶格散射作用增大。 高温区，电导率随温度升高而增加。 本征激发占主导，与杂质无关，载流数 目随温度升高而增大。 载流子数目的增大占主导，晶格散射作 占次要。; 电阻率ρ为电导率σ的倒数： ρ=1/ σ。;4.4.3 霍尔效应; 下面介绍霍尔效应（考虑空穴导电）：; 同理，对于N型半导体：; 电子和空穴的浓度差不多时，霍尔系数公式要重新推导。; 则有：;§4.5 非平衡载流子及载流子的扩散运动;非平衡载流子：除去热激发之外，还可以借助其他方法产生载流子，使载流子电子和空穴的浓度超过热平衡是的数值n0和p0。这种过剩的载流子称为非平衡载流子。;?;4.5.2 寿命; 间接复合率：; 任意时刻t，少子浓度为p(t)；时刻t+δt，少子浓度为p(t+ δt)。用γ代表空穴的净复合率，; 设光照停止的时刻为t=0，;1、非平衡少数载流子的影响处于主导、决定地位——τp即为非平衡少数载流子寿命。; 一维扩散方程; 在x→x+dx范围内，单位时间内增加的空穴数;一维扩散方程;平均扩散距离;?;4.5.4 连续性方程; 连续性方程 ——扩散、漂移、复合与产生同时存在时，少数载流子所遵守的运动方程。;同理，P型半导体中电子流密度为：;【例】设有一均匀的N型硅样品，在左半部用一稳定的光照射，均匀产生电子空 穴对，产生率为g0，若样品两边都很长，试求稳态时样品两边的空穴浓度分布。;作业：