薄膜混合集成电路工艺讲座.pptVIP

薄膜混合集成电路工艺 王合利 2003.09.16  薄膜混合集成电路工艺 概述 基片加工 金属化 光刻与制版 四五六七八九十 退火与划片 组装与烧结 键合 调试预镜检 封帽 老化筛选 激光打标(或网印) 需要改进的几方面  薄膜混合集成电路工艺 概述 微波集成电路,按结构分为单片集成电路和混合集成电路。 单片集成电路是用半导体工艺在Si片或GaAs等半导体基片上经 过多次的氧化、扩散、光刻,溅射或蒸发金属等工艺形成具有 特定功能的电路。所有的有源器件管芯和和无源元件,如三极 管,二极管,电阻,电容。电感都集成在一个芯片内。管壳上 通常只装一个电路芯片  厚膜集成电路 ●混合集成电路又可分成厚膜集成电路和薄膜集 成电路 ●厚膜集成电路是在陶瓷基片(96%氧化铝)上 丝网印刷上导电浆料(如Au、Ag,AuPd AgPd等)、电阻浆料;在高温烧结炉800~ 1000度的条件下锻烧成电路的导电线路和电阻 元件等。再用丝网印刷方法印上焊膏,贴装 元器件,放入回流炉回流焊接,从而制成的集 成电路。厚膜电路的膜厚通常1Oμum。线宽常规 上不能太细,一般最细线条01~02mm。  薄膜集成电路 ●薄膜集成电路是在抛光的陶瓷基片 (99.5%氧化铝)、微晶玻璃基片或者Si 基片上溅射电阻溥膜和导电薄膜,经电 镀,光