电池片制造工艺及电性能参数剖析.pptVIP

电池片制造工艺及电性 能参数分析 目录 一.晶体硅太阳能理论基础 1.理想晶体硅太阳能电池 2短路电流(lsc) 3.开路电压(Voc) 4.填充因子(FF) 5转化效率(Eta) 6.晶硅太阳能性能影响因素 目录 二.晶体硅太阳能电池丝网印刷和烧结工艺 1.丝网印刷和烧结工艺概述 2.欧姆接触原理 3烧结温度和带速对太阳电池输岀性能的影响 4硅片掺杂浓度对性能影响 5.浆料和扩散方阻对太阳电池输出性能的影响 6.AgS接触的形成机理 7.晶体硅旁路结对开路电压的影响 晶体硅太阳能理论基础 1,理晶体太阳能电池 太阳电池是一种能够直接将太阳辐射能转化 为电能的电子器件。晶体硅太阳电池是目前市 场上应用最为广泛的一种太阳电池。对P型或 n型硅衬底进行相反类型的源掺杂,形成n+或 p+型发射区,经电子扩散之后形成内建电场 可将光照条件下产生的光生载流子进行分离 常规晶体硅太阳电池结构及工作原理 如下图所示 Sunlight Metal grid Antireflective layer H-type javer p-type layer Metal contl 太阳电池理想|∨特性方程,即工作状态电流.电压关系式, 如式|=|ph-Oexp(av/nkT)1] (11) 其中,q为电子电量,k为玻尔兹曼常数,T为绝对温度,1。为二极管饱和 电流,lph为光生电流,n为二极管理想因子。一般晶体硅太阳电池lⅤ曲 线如图1-2所示,纵坐标表示电流,最大值为短路电流lsc,横坐标表示 电压,最大值为开路电压Voc I curve ofthe solar cell ower f。m the sofarcell 2、短路电流(Sc) 当太阳电池的輸出电压为0,即外接电路短路时,流经太阳电池体内的电流 为短路电流ls,对亍理想太阳电池,短路电流就等于光生电流lh,所以短路电 流的大小和以下几个因素相关联: (1)太阳电池的面积。通常在分析时利用短路电流密度概念Jsc,即单位 面积上流过的电流,单位为A/cm2。 (2)光照强度以及光谱分布。 (3)太阳电池的减反射、陷光效果和前表面栅线的遮挡面积 (4)电子收集效率。这主要取决于表面钝化效果以及少子寿命。如在非常 好的丧面钝化和一致的电子,空穴对产生率条件下,短路电流密度 为:JSC=qG(Ln+Lp) 其中G为电子.空穴产生率,Ln、Lp分别为电子和空穴扩散长度 lsc偏低的原因: 绒面较差→光反射率较大 2、扩散方块电阻偏低→磷掺杂过多 重掺杂会加大表面复合 3、丝网印刷第三道出现虚印、断线或者副栅线宽度过宽 等现象二电流不能被有效地收集 烧结不好引起欧姆接触不好,致 4、烧结炉温度出现较大波动; 使串联电阻增大 3、开路电压OC) 当太阳电池外接电路开路时.可得到太阳电池的有效最大电压,即开路电压 voc。在开路状态下,流经太阳电池的净电流为O。在方程(1-1)中,令O 可得到:VOC=(nkT/q)n(ph/o+1)。,从中可以看出,Voc的大小与以下 因素相关 ()光生电流lph可以看出,lph的改变量有限,其对oc的大小影响也较小。 (2)反向饱和电流0。在太阳电池中,⑩0的变化通常可达几个数量级,所以它 对Ⅶoc的影响非常大。而0决定于太阳电池的各种复合机制,所以通常Vc 的大小可以用来检测太阳电池的复合大小。 Voc偏低的原 、绒面较差→扩散pn结不均匀 方块电阻不均匀,结深高低不 致,烧结Ag电极渗透中,有的地方接 2、扩散方块电阻偏高→无法形成有效的电势差;触不好,有的地方可能过烧 铝浆型号用错 2.即掺杂太少 3、丝网印刷第二道{铝浆搅拌不均匀 印刷重量偏低 4、烧结温度出现波动 4,填充因子(FF) voc和lsc是太阳电池所能达到的最大电压和电流值,但是,从|V特性 曲线上可以看出,此时的输出功率为0。填充因子表示最大功率点 相 点处Ⅶmp解微分方程可得到一个超越方程非常复杂,只是Vmp和 oc的关系。 般计算FF可用经验公式: FF=【vo-n(v+0.72)】/(Vc+1) Voc为归一化Voc Voc=Voc a 高的开压可得到高的填充因子。 FF偏低的原因 、Rs偏高(参考Rs偏高的产生原因) 2、Rsh偏低(参考Rsh偏低的产生原因) El s 5,转化效率(ETA) 太阳电池转换效率Eta是表示单位面积上将辐照能量转 換为多少电能的量。通常定义为 Eta=Pmp/Pin=VoclscFF/Pin Pin表示入射光功率 转换效率越高,表示在单位面积上单位辐照强度下能 产生更多的电能。其大小与Voc、lsC、FF息息相关。