半导体材料与集成电路基础第三讲 单晶硅生长及硅片制备技术.pdfVIP

半导体材料与集成电路基础 第三讲：单晶硅生长及硅片制备技术 内容 • 多晶硅原料制备技术 • 石英坩埚的制备技术 • 硅单晶生长方法 • 单晶硅生长过程的技术要点 硅晶片的生长技术 • 单晶硅基片(Silicon Wafer)，之所以在诸多半导体元素 如锗(Germanium)或化合物半导体如砷化稼(GaAs)等材 料中脱颖而出，成为超大规模集成电路(VLSI)元器件 的基片材料，其原因在于，首先，硅是地球表面存量 丰富的元素之一，而其本身的无毒性以及具有较宽的 带宽（Bandgap)是它在微电子基片中能够获得应用的 主要原因。当然，对于高频需求的元器件，硅材料则 没有如砷化稼般的具有高电子迁移率(Electron Mobility) 而受到青睬，尤其是它无法提供光电元件 (Optoelectronic Device) 的基体材料。在此方面的应用由 砷化稼等半导体材料所取代。其次，从生产技术上考 虑，硅材料能以提拉法（柴氏法）大量生长大尺寸的 硅单晶棒，它是目前最经济的、成熟的规模生产工艺 技术。 多晶硅原料制备技术 • 制造硅晶片的原料仍然是硅，只是从一高纯度 (99 ．999999999 ％) 的多晶硅(Polysilicon)转换成具有一 定杂质(Dopant)的结晶硅材料。硅材料是地球丰度较高 的元素，它以硅砂的二氧化硅状态存在于地球表面。 从硅砂中融熔还原成低纯度的硅，是制造高纯度硅的 第一步。将二氧化硅与焦碳(Coke)、煤(Coal)及木屑等 混合，置于石墨电弧炉中于1500℃～2000 ℃加热将氧 化物分解还原成硅，可以获得纯度为98 ％的多晶硅。 接下来将这种98 ％多晶硅纯化为高纯度多晶硅则需经 一系列化学过程将其逐步纯化 盐酸化(Hydrochlorination)处理 将冶金级硅置于流床(Fluidized-bed)反应器中通入盐酸形成三氯化 硅，其过程用下式来表示： Si(s)+3HCl(g)→SiHCl (l)+H (g) (2.10) 3 2 蒸馏(Distillation)提纯 将上式获得的低沸点反应物，SiHCl 置于蒸馏塔中，将它与其他 3 的反应杂质( 以金属卤化物状态存在) ，通过蒸馏的过程去除。 分解(Decomposition)析出多晶硅 将上面已纯化的SiHCl 置于化学气相沉积(Chemical Vapor 3 deposition ，CVD)反应炉(Reactor) 中，与氢气还原反应使得金属硅 在炉中电极析出，再将此析出物击碎即成块状(Chunk)的多晶硅 另外著名的还有以四氯化硅(SiCl )于流床反应炉中分解析出颗粒状 4 (Granular)高纯度硅，其粒度分布约在100um至1500um之间，该方 法的优点是较低制造成本(能源耗损率极低) ，以及可以均匀或连 续填充入晶体生长炉，实现硅单晶的不间断生长。因此它有可能 取代部份块状多晶硅的原料市场。 石英坩埚的制备技术 • 生产中使用的石英坩埚是用天然纯度高的硅砂制成。浮选筛检后 的石英砂，被堆放在水冷式的坩埚型金属模内壁上，模具慢速旋 转以刮出适当的硅砂层厚度及高度。然后送入电弧炉中，电弧在 模具中心放出，将硅砂融化，烧结，冷却便可获得可用的石英坩 埚。这种坩埚内壁因高温融化快速冷却而形成透明的非结晶质二 氧化硅，外壁因接触水冷金属模壁部份硅砂末完全融化，而形成 非透明性且含气泡的白色层。坩埚再经由高温等离子处理，让碱 金属扩散离开坩埚内壁以降低碱金属含量。然后再浸涂一层可与 二氧化硅在高温下形成玻璃陶瓷(Glass Ceramic)的材料，以便日后